6-дюймові 150-міліметрові пластини карбіду кремнію SiC типу 4H-N для MOS або SBD Виробничі дослідження та фіктивний клас

6-дюймові 150-міліметрові пластини з карбіду кремнію SiC типу 4H-N для MOS або SBD Виробничі дослідження та фіктивний клас Представлене зображення

Короткий опис:

6-дюймова монокристалічна підкладка з карбіду кремнію є високоефективним матеріалом із чудовими фізичними та хімічними властивостями.Виготовлений з монокристалічного матеріалу карбіду кремнію високої чистоти, він демонструє чудову теплопровідність, механічну стабільність і стійкість до високих температур.Ця підкладка, виготовлена за допомогою точних виробничих процесів і високоякісних матеріалів, стала кращим матеріалом для виготовлення високоефективних електронних пристроїв у різних сферах.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Поля застосування

6-дюймова монокристалічна підкладка з карбіду кремнію відіграє вирішальну роль у багатьох галузях промисловості.По-перше, він широко використовується в напівпровідниковій промисловості для виготовлення потужних електронних пристроїв, таких як силові транзистори, інтегральні схеми та силові модулі.Його висока теплопровідність і стійкість до високих температур забезпечують краще розсіювання тепла, що призводить до підвищення ефективності та надійності.По-друге, пластини з карбіду кремнію необхідні в дослідницьких галузях для розробки нових матеріалів і пристроїв.Крім того, пластина з карбіду кремнію знаходить широке застосування в галузі оптоелектроніки, включаючи виробництво світлодіодів і лазерних діодів.

Технічні характеристики продукту

6-дюймова монокристалічна підкладка з карбіду кремнію має діаметр 6 дюймів (приблизно 152,4 мм).Шорсткість поверхні Ra < 0,5 нм, товщина 600 ± 25 мкм.Підкладка може бути налаштована з провідністю N-типу або P-типу залежно від вимог замовника.Крім того, він демонструє виняткову механічну стійкість, здатний витримувати тиск і вібрацію.

Діаметр		150±2,0 мм（6 дюймів）
Товщина		350 мкм±25 мкм
Орієнтація		На осі: <0001>±0,5°		Поза віссю: 4,0° у бік 1120±0,5°
Політип		4H
Питомий опір (Ω · см)	4H-N	0,015~0,028 Ом·см/0,015~0,025 Ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Первинна плоска орієнтація		{10-10}±5,0°
Первинна плоска довжина (мм)		47,5 мм±2,5 мм
Край		Фаска
TTV/Лук/Деформація (um)		≤15/≤40/≤60
АСМ спереду (Si-face)		Польський Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,5 нм
LTV		≤3 мкм (10 мм * 10 мм)	≤5 мкм (10 мм * 10 мм)		≤10 мкм (10 мм * 10 мм)
TTV		≤5 мкм	≤10 мкм		≤15 мкм
Апельсинова кірка/ямки/тріщини/забруднення/плями/смуги		жодного	жодного		жодного
відступи		жодного	жодного		жодного

6-дюймова монокристалічна підкладка з карбіду кремнію — це високоефективний матеріал, який широко використовується в напівпровідниковій, дослідницькій та оптоелектронній промисловості.Він забезпечує чудову теплопровідність, механічну стабільність і стійкість до високих температур, що робить його придатним для виготовлення потужних електронних пристроїв і дослідження нових матеріалів.Ми пропонуємо різні специфікації та варіанти налаштування, щоб задовольнити різноманітні потреби клієнтів.Зв’яжіться з нами для отримання додаткової інформації про пластини з карбіду кремнію!