8-дюймовий 200-міліметровий 4H-N SiC пластинчастий провідний манекен дослідницького класу
Завдяки своїм унікальним фізичним та електронним властивостям 200-мм пластинчастий напівпровідниковий матеріал SiC використовується для створення високопродуктивних, високотемпературних, радіаційно-стійких і високочастотних електронних пристроїв. Ціна на 8-дюймову підкладку SiC поступово знижується, оскільки технологія стає більш досконалою та попит зростає. Останні технологічні розробки призвели до масштабного виробництва 200-мм пластин SiC. Основні переваги пластинчастих напівпровідникових матеріалів SiC в порівнянні з пластинами Si і GaAs: Напруженість електричного поля 4H-SiC при лавинному пробої більш ніж на порядок перевищує відповідні значення для Si і GaAs. Це призводить до значного зниження питомого опору Рон у відкритому стані. Низький питомий опір у відкритому стані в поєднанні з високою щільністю струму та теплопровідністю дозволяє використовувати дуже маленькі кристали для силових пристроїв. Висока теплопровідність SiC знижує термічний опір чіпа. Електронні властивості пристроїв на основі пластин SiC дуже стабільні в часі та температурі, що забезпечує високу надійність виробів. Карбід кремнію надзвичайно стійкий до жорсткого випромінювання, що не погіршує електронні властивості чіпа. Висока гранична робоча температура кристала (більше 6000С) дозволяє створювати високонадійні прилади для важких умов експлуатації та спеціального застосування. На даний момент ми можемо стабільно та безперервно постачати невеликі партії пластин 200mmSiC і мати певний запас на складі.
Специфікація
Номер | Пункт | одиниця | виробництво | дослідження | манекен |
1. Параметри | |||||
1.1 | політип | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | орієнтація поверхні | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2. Електричний параметр | |||||
2.1 | допант | -- | Азот n-типу | Азот n-типу | Азот n-типу |
2.2 | питомий опір | Ом · см | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3. Механічний параметр | |||||
3.1 | діаметр | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
3.2 | товщина | мкм | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | Орієнтація виїмки | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
3.4 | Глибина надрізу | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
3.5 | LTV | мкм | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤10 (10 мм * 10 мм) |
3.6 | TTV | мкм | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Лук | мкм | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Деформація | мкм | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | АСМ | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
4. Структура | |||||
4.1 | щільність мікротрубок | еа/см2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | вміст металу | атомів/см2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | ТСД | еа/см2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | BPD | еа/см2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | еа/см2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Позитивна якість | |||||
5.1 | спереду | -- | Si | Si | Si |
5.2 | обробка поверхні | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
5.3 | частинка | шт/вафля | ≤100 (розмір ≥0,3 мкм) | NA | NA |
5.4 | подряпина | шт/вафля | ≤5, загальна довжина≤200 мм | NA | NA |
5.5 | Край відколи/вм’ятини/тріщини/плями/забруднення | -- | Жодного | Жодного | NA |
5.6 | Політипні області | -- | Жодного | Площа ≤10% | Площа ≤30% |
5.7 | передня розмітка | -- | Жодного | Жодного | Жодного |
6. Якість спини | |||||
6.1 | задня обробка | -- | C-лице MP | C-лице MP | C-лице MP |
6.2 | подряпина | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Дефекти спини краю відколи/відступи | -- | Жодного | Жодного | NA |
6.4 | Шорсткість спини | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Розмітка спини | -- | Виїмка | Виїмка | Виїмка |
7. Край | |||||
7.1 | краю | -- | Фаска | Фаска | Фаска |
8. Пакет | |||||
8.1 | упаковка | -- | Epi-ready з вакуумом упаковка | Epi-ready з вакуумом упаковка | Epi-ready з вакуумом упаковка |
8.2 | упаковка | -- | Мультивафельний касетна упаковка | Мультивафельний касетна упаковка | Мультивафельний касетна упаковка |