4-дюймова сапфірова пластина С-площина SSP/DSP 0,43 мм 0,65 мм
Додатки
● Ростовий субстрат для сполук III-V та II-VI.
● Електроніка та оптоелектроніка.
● ІЧ-програми.
● Інтегральна схема Silicon On Sapphire (SOS).
● Радіочастотна інтегральна схема (RFIC).
У виробництві світлодіодів сапфірові пластини використовуються як підкладка для вирощування кристалів нітриду галію (GaN), які випромінюють світло під час дії електричного струму. Сапфір є ідеальним матеріалом підкладки для вирощування GaN, оскільки він має подібну до GaN кристалічну структуру та коефіцієнт теплового розширення, що зводить до мінімуму дефекти та покращує якість кристалів.
В оптиці сапфірові пластини використовуються як вікна та лінзи в середовищах високого тиску та високої температури, а також у системах інфрачервоного зображення через їх високу прозорість і твердість.
Специфікація
Пункт | 4-дюймові С-площини (0001) 650 мкм сапфірові пластини | |
Кристалічні матеріали | 99,999%, монокристалічний Al2O3 високої чистоти | |
Оцінка | Prime, Epi-Ready | |
Орієнтація поверхні | С-площина (0001) | |
С-площина відхилена від кута до осі М 0,2 +/- 0,1° | ||
Діаметр | 100,0 мм +/- 0,1 мм | |
Товщина | 650 мкм +/- 25 мкм | |
Первинна плоска орієнтація | Площина А (11-20) +/- 0,2° | |
Первинна плоска довжина | 30,0 мм +/- 1,0 мм | |
Одна сторона полірована | Передня поверхня | Епіполірований, Ra < 0,2 нм (за АСМ) |
(SSP) | Задня поверхня | Дрібний помел, Ra = 0,8 мкм до 1,2 мкм |
Двостороннє полірування | Передня поверхня | Епіполірований, Ra < 0,2 нм (за АСМ) |
(DSP) | Задня поверхня | Епіполірований, Ra < 0,2 нм (за АСМ) |
TTV | < 20 мкм | |
ЛУК | < 20 мкм | |
ДЕФОРМАЦІЯ | < 20 мкм | |
Очищення / Упаковка | Очищення чистих приміщень класу 100 і вакуумне пакування, | |
25 штук в одній касетній упаковці або одноштучній упаковці. |
Упаковка та доставка
Взагалі кажучи, ми надаємо упаковку на 25 шт. касетної коробки; ми також можемо упаковувати один вафельний контейнер під 100 класом прибирання відповідно до вимог клієнта.