50,8 мм/100 мм AlN шаблон на NPSS/FSS AlN шаблон на сапфірі

Шаблон AlN 50,8 мм/100 мм на шаблоні AlN NPSS/FSS на сапфірі. Рекомендоване зображення

Короткий опис:

AlN-On-Sapphire відноситься до комбінації матеріалів, у яких плівки нітриду алюмінію вирощуються на сапфірових підкладках.У цій структурі високоякісну плівку нітриду алюмінію можна виростити шляхом хімічного осадження з парової фази (CVD) або органометричного хімічного осадження з парової фази (MOCVD), завдяки чому плівка нітриду алюмінію та сапфірова підкладка мають гарне поєднання.Переваги цієї структури полягають у тому, що нітрид алюмінію має високу теплопровідність, високу хімічну стабільність і чудові оптичні властивості, а сапфірова підкладка має чудові механічні та термічні властивості та прозорість.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire можна використовувати для виготовлення різних фотоелектричних пристроїв, таких як:
1. Світлодіодні чіпи: світлодіодні чіпи зазвичай виготовляються з плівок нітриду алюмінію та інших матеріалів.Ефективність і стабільність світлодіодів можна підвищити, використовуючи пластини AlN-On-Sapphire як підкладку світлодіодних мікросхем.
2. Лазери: пластини AlN-On-Sapphire також можна використовувати як підкладки для лазерів, які зазвичай використовуються в медицині, зв’язку та обробці матеріалів.
3. Сонячні батареї: виробництво сонячних батарей вимагає використання таких матеріалів, як нітрид алюмінію.AlN-On-Sapphire як підкладка може покращити ефективність і термін служби сонячних елементів.
4. Інші оптоелектронні пристрої: пластини AlN-On-Sapphire також можна використовувати для виготовлення фотодетекторів, оптоелектронних пристроїв та інших оптоелектронних пристроїв.

Підсумовуючи, пластини AlN-On-Sapphire широко використовуються в оптико-електричній сфері завдяки їх високій теплопровідності, високій хімічній стабільності, низьким втратам і відмінним оптичним властивостям.

50,8 мм/100 мм AlN шаблон на NPSS/FSS

Пункт	Зауваження
опис	Шаблон AlN-on-NPSS	Шаблон AlN-on-FSS
Діаметр пластини	50,8 мм, 100 мм
Підкладка	c-площина NPSS	C-ploske Planar Sapphire (FSS)
Товщина основи	50,8 мм, планарний сапфір площини 100 мм (FSS) 100 мм: 650 мкм
Товщина епішару AIN	3~4 мкм (ціль: 3,3 мкм)
провідність	Ізоляційні
Поверхня	Як виросла
	RMS <1 нм	RMS <2 нм
Тильна сторона	Подрібнений
FWHM(002)XRC	< 150 кутових секунд	< 150 кутових секунд
FWHM(102)XRC	< 300 кутових секунд	< 300 кутових секунд
Виключення краю	< 2 мм	< 3 мм
Первинна плоска орієнтація	а-площина+0,1°
Первинна плоска довжина	50,8 мм: 16+/-1 мм 100 мм: 30+/-1 мм
Пакет	Упакований в транспортну коробку або одинарний вафельний контейнер