200 мм 8 дюймів GaN на сапфіровій епі-шаровій пластинчастій підкладці

200 мм 8-дюймовий GaN на сапфіровій епі-шаровій пластинчастій підкладці Рекомендоване зображення

Короткий опис:

Виробничий процес передбачає епітаксіальне зростання шару GaN на сапфіровій підкладці з використанням передових методів, таких як металоорганічне хімічне осадження з парової фази (MOCVD) або молекулярно-променева епітаксія (MBE).Осадження здійснюється в контрольованих умовах для забезпечення високої якості кристалів і однорідності плівки.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Представлення продукту

8-дюймова підкладка GaN-on-Sapphire — це високоякісний напівпровідниковий матеріал, що складається з шару нітриду галію (GaN), вирощеного на підкладці з сапфіру.Цей матеріал має чудові електронні транспортні властивості та ідеально підходить для виготовлення потужних та високочастотних напівпровідникових пристроїв.

Спосіб виготовлення

Виробничий процес передбачає епітаксіальне нарощування шару GaN на сапфіровій підкладці з використанням передових методів, таких як металоорганічне хімічне осадження з парової фази (MOCVD) або молекулярно-променева епітаксія (MBE).Осадження здійснюється в контрольованих умовах для забезпечення високої якості кристалів і однорідності плівки.

Додатки

8-дюймова підкладка GaN-on-Sapphire знаходить широке застосування в різних сферах, включаючи мікрохвильовий зв’язок, радарні системи, бездротові технології та оптоелектроніку.Деякі з поширених програм включають:

1. ВЧ-підсилювачі потужності

2. Індустрія світлодіодного освітлення

3. Бездротові мережеві пристрої зв'язку

4. Електронні пристрої для високотемпературних середовищ

5. Oптоелектронні пристрої

Технічні характеристики продукту

-Розмір: Розмір підкладки становить 8 дюймів (200 мм) у діаметрі.

- Якість поверхні: поверхня відполірована до високого ступеня гладкості та демонструє чудову дзеркальну якість.

- Товщина: товщину шару GaN можна налаштувати відповідно до конкретних вимог.

- Упаковка: підкладка ретельно упакована в антистатичні матеріали, щоб запобігти пошкодженню під час транспортування.

- Плоска орієнтація: підкладка має певну плоску орієнтацію, щоб допомогти у вирівнюванні пластини та поводженні з нею під час виготовлення пристрою.

- Інші параметри: специфіка товщини, питомого опору та концентрації допантів може бути налаштована відповідно до вимог замовника.

Завдяки чудовим властивостям матеріалу та різноманітним застосуванням 8-дюймова підкладка GaN-on-Sapphire є надійним вибором для розробки високопродуктивних напівпровідникових пристроїв у різних галузях промисловості.

Крім GaN-On-Sapphire, ми також можемо запропонувати в області додатків енергетичних пристроїв сімейство продуктів, що включає 8-дюймові епітаксійні пластини AlGaN/GaN-on-Si та 8-дюймові епітаксіальні пластини AlGaN/GaN-on-Si з P-cap. вафлі.У той же час ми впровадили інновації в застосуванні власної передової технології епітаксії 8-дюймового GaN у мікрохвильовій області та розробили 8-дюймову пластину епітаксії AlGaN/GAN-on-HR Si, яка поєднує високу продуктивність із великим розміром і низькою ціною. і сумісний зі стандартною обробкою 8-дюймових пристроїв.Окрім нітриду галію на основі кремнію, у нас також є лінійка епітаксіальних пластин AlGaN/GaN-on-SiC, щоб задовольнити потреби клієнтів в епітаксіальних матеріалах на основі нітриду галію на основі кремнію.