100 мм 4 дюйми GaN на сапфіровій епітаксіальній пластині з нітриду галію

(1) Випікання при високій температурі, сапфірову підкладку спочатку нагрівають до 1050 ℃ в атмосфері водню, метою є очищення поверхні підкладки;

(2) Коли температура підкладки падає до 510 ℃, на поверхню сапфірової підкладки наноситься низькотемпературний буферний шар GaN/AlN товщиною 30 нм;

(3) Підвищення температури до 10 ℃, реакційний газ аміак, триметилгалій і силан вводяться, відповідно контролюють відповідну швидкість потоку, і вирощується легований кремнієм N-тип GaN товщиною 4 мкм;

(4) Реакційний газ триметилалюмінію та триметилгалію використовувався для приготування легованих кремнієм N-типу A⒑ континентів товщиною 0,15 мкм;

(5) 50 нм легований Zn InGaN був отриманий шляхом ін’єкції триметилгалію, триметиліндія, діетилцинку та аміаку при температурі 800℃ та контролю різних швидкостей потоку відповідно;

(6) Температуру підвищили до 1020 ℃, триметилалюміній, триметилгалій і біс(циклопентадієніл)магній ввели для отримання 0,15 мкм Mg легованого P-типу AlGaN і 0,5 мкм Mg легованого P-типу G глюкози крові;

(7) Високоякісна плівка P-типу GaN Sibuyan була отримана шляхом відпалу в атмосфері азоту при 700 ℃;

(8) Травлення на поверхні стазу G типу P для виявлення поверхні стазу G типу N;

(9) Випаровування контактних пластин Ni/Au на поверхні p-GaNI, випаровування контактних пластин △/Al на поверхні ll-GaN для формування електродів.