Керамічна пластина/лоток з карбіду кремнію для тримача пластин 4-дюймового та 6-дюймового розмірів для ICP

Керамічна пластина/лоток з карбіду кремнію для тримача пластин 4 дюйми 6 дюймів для ICP Зображення

Короткий опис:

Керамічна пластина з карбіду кремнію Si – це високопродуктивний компонент, виготовлений з високочистого карбіду кремнію, призначений для використання в екстремальних термічних, хімічних та механічних середовищах. Відома своєю винятковою твердістю, теплопровідністю та стійкістю до корозії, пластина з карбіду кремнію широко використовується як носій пластини, токоприймач або структурний компонент у напівпровідниковій, світлодіодній, фотоелектричній та аерокосмічній промисловості.

Надіслати нам електронного листа

Особливості

Анотація керамічної пластини SiC

Завдяки видатній термостабільності до 1600°C та чудовій стійкості до реакційних газів і плазмових середовищ, пластина з карбіду кремнію (SiC) забезпечує стабільну роботу під час високотемпературного травлення, осадження та дифузії. Її щільна, непориста мікроструктура мінімізує утворення частинок, що робить її ідеальною для надчистих застосувань у вакуумі або чистих приміщеннях.

Застосування керамічної пластини SiC

1. Виробництво напівпровідників

Керамічні пластини з карбіду кремнію (SiC) зазвичай використовуються як носії пластин, токоприймачі та опорні пластини в обладнанні для виготовлення напівпровідників, такому як CVD (хімічне осадження з парової фази), PVD (фізичне осадження з парової фази) та системи травлення. Їхня чудова теплопровідність та низьке теплове розширення дозволяють їм підтримувати рівномірний розподіл температури, що є критично важливим для високоточної обробки пластин. Стійкість SiC до агресивних газів та плазми забезпечує довговічність у суворих умовах, допомагаючи зменшити забруднення частинками та необхідність обслуговування обладнання.

2. Світлодіодна промисловість – ICP-травлення

У секторі виробництва світлодіодів пластини SiC є ключовими компонентами систем травлення ICP (індуктивно зв'язаної плазми). Виступаючи як тримачі пластин, вони забезпечують стабільну та термічно стійку платформу для підтримки пластин сапфіру або GaN під час плазмової обробки. Їхня чудова плазмостійкість, площинність поверхні та розмірна стабільність допомагають забезпечити високу точність та однорідність травлення, що призводить до збільшення виходу та продуктивності світлодіодних чіпів.

3. Фотоелектричні (PV) та сонячна енергія

Керамічні пластини з карбіду кремнію також використовуються у виробництві сонячних елементів, особливо під час стадій високотемпературного спікання та відпалу. Їхня інертність за підвищених температур та здатність протистояти деформації забезпечують стабільну обробку кремнієвих пластин. Крім того, низький ризик забруднення є життєво важливим для підтримки ефективності фотоелектричних елементів.

Властивості керамічної пластини SiC

1. Виняткова механічна міцність і твердість

Керамічні пластини з карбіду кремнію демонструють дуже високу механічну міцність, типова міцність на вигин перевищує 400 МПа, а твердість за Віккерсом досягає >2000 HV. Це робить їх дуже стійкими до механічного зносу, стирання та деформації, забезпечуючи тривалий термін служби навіть при високому навантаженні або багаторазових термоциклах.

2. Висока теплопровідність

Карбід кремнію (SiC) має чудову теплопровідність (зазвичай 120–200 Вт/м·K), що дозволяє йому рівномірно розподіляти тепло по всій поверхні. Ця властивість є критично важливою в таких процесах, як травлення пластин, осадження або спікання, де однорідність температури безпосередньо впливає на вихід та якість продукту.

3. Чудова термостабільність

Завдяки високій температурі плавлення (2700°C) та низькому коефіцієнту теплового розширення (4,0 × 10⁻⁶/K), керамічні пластини з карбіду кремнію (SiC) зберігають точність розмірів та структурну цілісність при швидких циклах нагрівання та охолодження. Це робить їх ідеальними для застосування у високотемпературних печах, вакуумних камерах та плазмових середовищах.

Технічні властивості
Індекс	Одиниця	Значення
Назва матеріалу		Реакційно спечений карбід кремнію	Безтискний спечений карбід кремнію	Рекристалізований карбід кремнію
Склад		RBSiC	SSiC	R-SiC
Насипна щільність	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Міцність на згин	МПа (кпсі)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Міцність на стиск	МПа (кпсі)	1120(158)	3970(560)	> 600
Твердість	Кнуп	2700	2800	/
Зламуючи наполегливість	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопровідність	Вт/мк	95	120	23
Коефіцієнт теплового розширення	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Питома теплоємність	Джоуль/г 0 кДж	0,8	0,67	/
Максимальна температура повітря	℃	1200	1500	1600
Модуль пружності	Середній бал	360	410	240

Запитання та відповіді щодо керамічної пластини SiC

З: Які властивості має пластина з карбіду кремнію?

В： Пластини з карбіду кремнію (SiC) відомі своєю високою міцністю, твердістю та термостабільністю. Вони мають чудову теплопровідність і низьке теплове розширення, що забезпечує надійну роботу за екстремальних температур. SiC також хімічно інертний, стійкий до кислот, лугів і плазмових середовищ, що робить його ідеальним для обробки напівпровідників і світлодіодів. Його щільна, гладка поверхня мінімізує утворення частинок, забезпечуючи сумісність з чистими приміщеннями. Пластини SiC широко використовуються як носії пластин, токоприймачі та опорні компоненти у високотемпературних і агресивних середовищах у напівпровідниковій, фотоелектричній та аерокосмічній промисловості.