6-дюймовий GaN-на-сапфірі

6-дюймовий GaN-On-Sapphire Рекомендоване зображення

Короткий опис:

150 мм 6 дюймів GaN на кремнієвій/сапфіровій/SiC епітаксіальній пластині з нітриду галію

6-дюймова пластина з сапфіровою підкладкою — це високоякісний напівпровідниковий матеріал, що складається з шарів нітриду галію (GaN), вирощених на сапфіровій підкладці.Матеріал має відмінні електронні транспортні властивості і ідеально підходить для виготовлення потужних і високочастотних напівпровідникових приладів.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

150 мм 6 дюймів GaN на кремнієвій/сапфіровій/SiC епітаксіальній пластині з нітриду галію

Спосіб виготовлення: виробничий процес включає вирощування шарів GaN на сапфіровій підкладці з використанням передових методів, таких як металоорганічне хімічне осадження з парової фази (MOCVD) або молекулярно-променева епітаксія (MBE).Процес осадження здійснюється в контрольованих умовах для забезпечення високої якості кристалів і однорідної плівки.

Застосування 6-дюймового GaN-On-Sapphire: 6-дюймові чіпи з сапфіровою підкладкою широко використовуються в мікрохвильовому зв’язку, радарних системах, бездротових технологіях та оптоелектроніці.

Деякі поширені програми включають

1. ВЧ підсилювач потужності

2. Індустрія світлодіодного освітлення

3. Бездротове мережеве комунікаційне обладнання

4. Електронні пристрої у високотемпературному середовищі

5. Оптико-електронні прилади

Технічні характеристики продукції

- Розмір: Діаметр підкладки становить 6 дюймів (приблизно 150 мм).

- Якість поверхні: поверхня була тонко відшліфована для забезпечення чудової дзеркальної якості.

- Товщина: товщину шару GaN можна налаштувати відповідно до конкретних вимог.

- Упаковка: підкладка ретельно упакована антистатичними матеріалами, щоб запобігти пошкодженню під час транспортування.

- Краї позиціонування: підкладка має спеціальні краї позиціонування, які полегшують вирівнювання та роботу під час підготовки пристрою.

- Інші параметри: конкретні параметри, такі як тонкість, питомий опір і концентрація легування, можна регулювати відповідно до вимог замовника.

Завдяки чудовим властивостям матеріалу та різноманітним застосуванням 6-дюймові пластини з сапфіровою підкладкою є надійним вибором для розробки високопродуктивних напівпровідникових пристроїв у різних галузях промисловості.

Підкладка	6” 1 мм <111> Si p-типу	6” 1 мм <111> Si p-типу
Epi ThickAvg	~5 мкм	~7 мкм
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Лук	+/-45 мкм	+/-45 мкм
розтріскування	<5 мм	<5 мм
Вертикальний БВ	>1000В	>1400В
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30 нм	20-30 нм
Insitu SiN Cap	5-60 нм	5-60 нм
2DEG конц.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Мобільність	~2000 см²/Проти (<2%)	~2000 см²/Проти (<2%)
Rsh	<330 Ом/кв (<2%)	<330 Ом/кв (<2%)