4H-semi HPSI 2-дюймова підкладка SiC Пластина Виробничий манекен Дослідницького класу

4H-semi HPSI 2-дюймова пластина з підкладкою SiC Виробничий манекен Дослідницького класу Рекомендоване зображення

Короткий опис:

2-дюймова пластина монокристалічної підкладки з карбіду кремнію є високоефективним матеріалом із видатними фізичними та хімічними властивостями.Він виготовлений з монокристалічного матеріалу карбіду кремнію високої чистоти з чудовою теплопровідністю, механічною стабільністю та стійкістю до високих температур.Завдяки високоточному процесу підготовки та високоякісним матеріалам цей чіп є одним із переважних матеріалів для підготовки високопродуктивних електронних пристроїв у багатьох сферах.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Напівізоляційна підкладка з карбіду кремнію SiC

Підкладка з карбіду кремнію в основному поділяється на провідний та напівізоляційний тип, провідна підкладка з карбіду кремнію на підкладку n-типу в основному використовується для епітаксіальних світлодіодів на основі GaN та інших оптоелектронних пристроїв, силових електронних пристроїв на основі SiC тощо та напів- ізоляційна підкладка з карбіду кремнію SiC в основному використовується для епітаксійного виробництва високопотужних радіочастотних пристроїв GaN.Крім того, напівізоляція високої чистоти HPSI та напівізоляції SI відрізняється, концентрація носія високої чистоти напівізоляції становить 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/см3, з високою рухливістю електронів;напівізоляція - це високоомний матеріал, питомий опір дуже високий, зазвичай використовується для підкладок мікрохвильових пристроїв, не проводить струм.

Напівізоляційна підкладка з карбіду кремнію, пластина SiC

Кристалічна структура SiC визначає його фізичні, порівняно з Si та GaAs, SiC має фізичні властивості;ширина забороненої смуги є великою, приблизно в 3 рази більшою, ніж у Si, щоб забезпечити роботу пристрою при високих температурах у довгостроковій надійності;Напруженість поля пробою висока, в 10 разів перевищує Si, щоб забезпечити ємність напруги пристрою, покращити значення напруги пристрою;швидкість насичення електронів велика, у 2 рази перевищує Si, щоб збільшити частоту пристрою та щільність потужності;теплопровідність висока, більше, ніж Si, теплопровідність висока, теплопровідність висока, теплопровідність висока, теплопровідність висока, більше, ніж Si, теплопровідність висока, теплопровідність висока.Висока теплопровідність, більш ніж у 3 рази більша, ніж у кремнію, збільшує тепловіддачу пристрою та реалізує мініатюризацію пристрою.