Ізолятор SOI на кремнієвих пластинах SOI (кремній на ізоляторі) розміром 8 та 6 дюймів

Короткий опис:

Кремнієва пластина на ізоляторі (SOI), що складається з трьох окремих шарів, стає наріжним каменем у сфері мікроелектроніки та радіочастотних (РЧ) застосувань. У цій статті пояснюються ключові характеристики та різноманітні застосування цієї інноваційної підкладки.


Деталі продукту

Теги продукту

Введення коробки вафель

Тришарова пластина SOI, що складається з верхнього шару кремнію, шару ізоляційного оксиду та нижньої кремнієвої підкладки, пропонує безпрецедентні переваги в мікроелектроніці та радіочастотних областях. Верхній шар кремнію, виготовлений з високоякісного кристалічного кремнію, сприяє інтеграції складних електронних компонентів з точністю та ефективністю. Шар ізоляційного оксиду, ретельно розроблений для мінімізації паразитної ємності, підвищує продуктивність пристрою, зменшуючи небажані електричні перешкоди. Нижня кремнієва підкладка забезпечує механічну підтримку та сумісність з існуючими технологіями обробки кремнію.

У мікроелектроніці пластина SOI служить основою для створення передових інтегральних схем (ІС) з високою швидкістю, енергоефективністю та надійністю. Її тришарова архітектура дозволяє розробляти складні напівпровідникові прилади, такі як CMOS (комплементарні метал-оксид-напівпровідник) ІС, MEMS (мікроелектромеханічні системи) та силові пристрої.

У радіочастотній області пластина SOI демонструє чудові показники в проектуванні та впровадженні радіочастотних пристроїв і систем. Її низька паразитна ємність, висока пробивна напруга та чудові ізоляційні властивості роблять її ідеальною підкладкою для радіочастотних перемикачів, підсилювачів, фільтрів та інших радіочастотних компонентів. Крім того, властива пластині SOI радіаційна стійкість робить її придатною для аерокосмічної та оборонної галузей, де надійність у суворих умовах є надзвичайно важливою.

Крім того, універсальність пластин SOI поширюється на новітні технології, такі як фотонні інтегральні схеми (PIC), де інтеграція оптичних та електронних компонентів на одній підкладці є перспективною для телекомунікаційних систем та систем передачі даних наступного покоління.

Підсумовуючи, тришарова кремнієва пластина на ізоляторі (SOI) знаходиться на передовій інновацій у мікроелектроніці та радіочастотних застосуваннях. Її унікальна архітектура та виняткові характеристики прокладають шлях для розвитку в різних галузях промисловості, стимулюючи прогрес та формуючи майбутнє технологій.

Детальна діаграма

АСД (1)
АСД (2)

  • Попередній:
  • Далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам