Тришарова кремнієва пластина на ізоляторній підкладці SOI для мікроелектроніки та радіочастот

Короткий опис:

Повна назва SOI - Кремній на ізоляторі, що означає структуру кремнієвого транзистора на ізоляторі. Принцип полягає в тому, що додавання ізоляторного матеріалу між кремнієвим транзистором може зробити паразитну ємність між ними меншою, ніж удвічі більшою, ніж початкова.


Деталі продукту

Теги продукту

Введення коробки вафель

Представляємо нашу вдосконалену кремнієву пластину на ізоляторі (SOI), ретельно розроблену з трьома окремими шарами, яка революціонізує застосування в мікроелектроніці та радіочастотах (RF). Ця інноваційна підкладка поєднує верхній шар кремнію, шар ізоляційного оксиду та нижню кремнієву підкладку, забезпечуючи неперевершену продуктивність та універсальність.

Розроблена з урахуванням вимог сучасної мікроелектроніки, наша пластина SOI забезпечує міцну основу для створення складних інтегральних схем (ІС) з високою швидкістю, енергоефективністю та надійністю. Верхній кремнієвий шар забезпечує безшовну інтеграцію складних електронних компонентів, а ізоляційний оксидний шар мінімізує паразитну ємність, підвищуючи загальну продуктивність пристрою.

У сфері радіочастотних застосувань наша пластина SOI вирізняється низькою паразитною ємністю, високою пробивною напругою та чудовими ізоляційними властивостями. Ця підкладка ідеально підходить для радіочастотних перемикачів, підсилювачів, фільтрів та інших радіочастотних компонентів, забезпечує оптимальну продуктивність у системах бездротового зв'язку, радіолокаційних системах тощо.

Більше того, притаманна нашим пластинам SOI радіаційна стійкість робить їх ідеальними для аерокосмічної та оборонної галузей, де надійність у складних умовах є критично важливою. Їхня міцна конструкція та виняткові експлуатаційні характеристики гарантують стабільну роботу навіть в екстремальних умовах.

Основні характеристики:

Тришарова архітектура: верхній шар кремнію, ізоляційний оксидний шар та нижня кремнієва підкладка.

Чудова продуктивність мікроелектроніки: дозволяє створювати передові інтегральні схеми з підвищеною швидкістю та енергоефективністю.

Відмінні радіочастотні характеристики: низька паразитна ємність, висока пробивна напруга та чудові ізоляційні властивості для радіочастотних пристроїв.

Надійність аерокосмічного класу: Властива стійкість до радіації забезпечує надійність у складних умовах експлуатації.

Універсальне застосування: підходить для широкого кола галузей промисловості, включаючи телекомунікації, аерокосмічну промисловість, оборону тощо.

Відчуйте нове покоління мікроелектроніки та радіочастотних технологій з нашою передовою кремнієвою пластиною на ізоляторі (SOI). Відкрийте нові можливості для інновацій та стимулюйте прогрес у ваших застосуваннях за допомогою нашого передового рішення для підкладок.

Детальна діаграма

АСД
АСД

  • Попередній:
  • Далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам