Злиток карбіду кремнію SiC 6 дюймів типу N, товщина манекена/основного класу може бути налаштована

Короткий опис:

Карбід кремнію (SiC) – це напівпровідниковий матеріал із широкою забороненою зоною, який набуває значного поширення в низці галузей промисловості завдяки своїм чудовим електричним, тепловим та механічним властивостям. Злиток SiC у 6-дюймовому N-типу Dummy/Prime марки спеціально розроблений для виробництва передових напівпровідникових приладів, включаючи високопотужні та високочастотні застосування. Завдяки налаштовуваним варіантам товщини та точним специфікаціям, цей злиток SiC є ідеальним рішенням для розробки пристроїв, що використовуються в електромобілях, промислових енергетичних системах, телекомунікаціях та інших високопродуктивних секторах. Стійкість SiC в умовах високої напруги, високої температури та високої частоти забезпечує тривалу, ефективну та надійну роботу в різних сферах застосування.
Злиток SiC доступний розміром 6 дюймів, діаметром 150,25 мм ± 0,25 мм та товщиною понад 10 мм, що робить його ідеальним для нарізання пластин. Цей продукт має чітко визначену орієнтацію поверхні 4° у напрямку <11-20> ± 0,2°, що забезпечує високу точність виготовлення пристроїв. Крім того, злиток має первинну плоску орієнтацію <1-100> ± 5°, що сприяє оптимальному вирівнюванню кристалів та продуктивності обробки.
Завдяки високому питомому опору в діапазоні 0,015–0,0285 Ом·см, низькій щільності мікротрубок <0,5 та чудовій якості кромки, цей злиток SiC підходить для виробництва силових пристроїв, що потребують мінімальних дефектів та високої продуктивності в екстремальних умовах.


Особливості

Властивості

Сорт: Виробничий сорт (манекен/першокласник)
Розмір: діаметр 6 дюймів
Діаметр: 150,25 мм ± 0,25 мм
Товщина: >10 мм (можливість налаштування товщини на запит)
Орієнтація поверхні: 4° у напрямку <11-20> ± 0,2°, що забезпечує високу якість кристалів та точне вирівнювання для виготовлення пристрою.
Орієнтація первинної плоскої поверхні: <1-100> ± 5°, ключова особливість для ефективного розрізання злитка на пластини та оптимального росту кристалів.
Довжина основної плоскої частини: 47,5 мм ± 1,5 мм, розроблена для легкого використання та точного різання.
Питомий опір: 0,015–0,0285 Ом·см, ідеально підходить для застосування у високоефективних силових пристроях.
Щільність мікротруб: <0,5, що забезпечує мінімальні дефекти, які можуть вплинути на продуктивність виготовлених пристроїв.
BPD (щільність точкової кори бору): <2000, низьке значення, що вказує на високу чистоту кристалів та низьку щільність дефектів.
TSD (щільність дислокацій різьбових гвинтів): <500, що забезпечує відмінну цілісність матеріалу для високопродуктивних пристроїв.
Політипні ділянки: відсутні – злиток не містить політипних дефектів, що забезпечує чудову якість матеріалу для високоякісного застосування.
Відступи на кромках: <3, шириною та глибиною 1 мм, що забезпечує мінімальне пошкодження поверхні та збереження цілісності злитка для ефективного нарізання пластини.
Тріщини на краях: 3, <1 мм кожна, з низькою частотою пошкоджень країв, що забезпечує безпечне поводження та подальшу обробку.
Упаковка: Корпус для пластин – злиток карбіду кремнію надійно упакований у корпус для пластин для забезпечення безпечного транспортування та обробки.

Застосування

Силова електроніка:6-дюймовий злиток SiC широко використовується у виробництві силових електронних пристроїв, таких як MOSFET, IGBT та діоди, які є важливими компонентами систем перетворення енергії. Ці пристрої широко використовуються в інверторах для електромобілів (EV), промислових приводах двигунів, джерелах живлення та системах накопичення енергії. Здатність SiC працювати при високій напругі, високих частотах та екстремальних температурах робить його ідеальним для застосувань, де традиційні кремнієві (Si) пристрої мали б труднощі з ефективною роботою.

Електромобілі (EV):В електромобілях компоненти на основі SiC мають вирішальне значення для розробки силових модулів в інверторах, перетворювачах постійного струму та бортових зарядних пристроях. Чудова теплопровідність SiC дозволяє зменшити тепловиділення та підвищити ефективність перетворення енергії, що життєво важливо для підвищення продуктивності та запасу ходу електромобілів. Крім того, пристрої на основі SiC дозволяють створювати менші, легші та надійніші компоненти, що сприяє загальній продуктивності систем електромобілів.

Системи відновлюваної енергії:Злитки SiC є важливим матеріалом для розробки пристроїв перетворення енергії, що використовуються в системах відновлюваної енергетики, включаючи сонячні інвертори, вітрові турбіни та рішення для накопичення енергії. Висока здатність SiC до обробки потужності та ефективне управління температурою забезпечують вищу ефективність перетворення енергії та підвищену надійність у цих системах. Його використання у відновлюваній енергетиці допомагає стимулювати глобальні зусилля до енергетичної стійкості.

Телекомунікації:6-дюймовий злиток SiC також підходить для виробництва компонентів, що використовуються у високопотужних радіочастотних (РЧ) пристроях. До них належать підсилювачі, генератори та фільтри, що використовуються в телекомунікаційних та супутникових системах зв'язку. Здатність SiC обробляти високі частоти та високу потужність робить його чудовим матеріалом для телекомунікаційних пристроїв, які потребують надійної роботи та мінімальних втрат сигналу.

Аерокосмічна та оборонна галузь:Висока пробивна напруга SiC та стійкість до високих температур роблять його ідеальним для аерокосмічної та оборонної промисловості. Компоненти, виготовлені зі злитків SiC, використовуються в радіолокаційних системах, супутниковому зв'язку та силовій електроніці для літаків і космічних апаратів. Матеріали на основі SiC дозволяють аерокосмічним системам працювати в екстремальних умовах, що виникають у космосі та на великій висоті.

Промислова автоматизація:У промисловій автоматизації компоненти з карбіду кремнію використовуються в датчиках, виконавчих пристроях та системах керування, які повинні працювати в суворих умовах. Пристрої на основі карбіду кремнію використовуються в обладнанні, яке потребує ефективних, довговічних компонентів, здатних витримувати високі температури та електричні навантаження.

Таблиця специфікацій продукту

Нерухомість

Специфікація

Оцінка Виробництво (манекен/прайм)
Розмір 6-дюймовий
Діаметр 150,25 мм ± 0,25 мм
Товщина >10 мм (налаштовується)
Орієнтація поверхні 4° у напрямку <11-20> ± 0,2°
Основна орієнтація на плоску поверхню <1-100> ± 5°
Довжина основної плоскої поверхні 47,5 мм ± 1,5 мм
Питомий опір 0,015–0,0285 Ом·см
Щільність мікротруб <0,5
Густина точкової утворення бору (BPD) <2000
Щільність дислокацій гвинта різьблення (TSD) <500
Політипні області Жоден
Відступи країв <3, 1 мм ширина та глибина
Тріщини по краях 3, <1 мм/шт.
Упаковка Вафельний футляр

 

Висновок

6-дюймовий злиток SiC – N-типу Dummy/Prime – це високоякісний матеріал, який відповідає суворим вимогам напівпровідникової промисловості. Його висока теплопровідність, винятковий питомий опір і низька щільність дефектів роблять його чудовим вибором для виробництва передових силових електронних пристроїв, автомобільних компонентів, телекомунікаційних систем і систем відновлюваної енергії. Налаштовувані товщина та точність гарантують, що цей злиток SiC можна адаптувати до широкого спектру застосувань, забезпечуючи високу продуктивність і надійність у складних умовах. Для отримання додаткової інформації або замовлення зверніться до нашої команди з продажу.

Детальна діаграма

Злиток карбіду кремнію13
Злиток карбіду кремнію15
Злиток карбіду кремнію14
Злиток карбіду кремнію16

  • Попередній:
  • Далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам