Керамічний кінцевий ефектор SiC для перенесення пластин

Короткий опис:

Пластини LiNbO₃ є золотим стандартом в інтегрованій фотоніці та прецизійній акустиці, забезпечуючи неперевершену продуктивність у сучасних оптоелектронних системах. Як провідний виробник, ми вдосконалили мистецтво виробництва цих інженерних підкладок за допомогою передових методів врівноваження паропереносу, досягнувши провідної в галузі кристалічної досконалості з щільністю дефектів нижче 50/см².

Виробничі можливості XKH охоплюють діаметри від 75 мм до 150 мм, з точним контролем орієнтації (розріз X/Y/Z ±0,3°) та спеціалізованими варіантами легування, включаючи рідкісноземельні елементи. Унікальне поєднання властивостей пластин LiNbO₃, включаючи їхній чудовий коефіцієнт r₃₃ (32±2 пм/В) та широку прозорість від ближнього УФ до середнього ІЧ-діапазону, робить їх незамінними для фотонних схем наступного покоління та високочастотних акустичних пристроїв.


  • :
  • Особливості

    Керамічний кінцевий ефектор SiC Анотація

    Керамічний кінцевий ефектор SiC (карбід кремнію) є критично важливим компонентом у високоточних системах обробки пластин, що використовуються у виробництві напівпровідників та передових середовищах мікрофабрикації. Розроблений відповідно до вимог надчистих, високотемпературних та високостабільних середовищ, цей спеціалізований кінцевий ефектор забезпечує надійне та без забруднення транспортування пластин під час ключових етапів виробництва, таких як літографія, травлення та осадження.

    Використовуючи чудові матеріальні властивості карбіду кремнію, такі як висока теплопровідність, надзвичайна твердість, чудова хімічна інертність та мінімальне теплове розширення, керамічний кінцевий ефектор SiC пропонує неперевершену механічну жорсткість та стабільність розмірів навіть при швидкому термоциклуванні або в корозійних технологічних камерах. Його низький рівень утворення частинок та стійкість до плазми роблять його особливо придатним для застосування в чистих приміщеннях та вакуумній обробці, де збереження цілісності поверхні пластини та зменшення забруднення частинками є надзвичайно важливими.

    Застосування кінцевого ефектора з кераміки SiC

    1. Обробка напівпровідникових пластин

    Керамічні кінцеві ефекти з карбіду кремнію (SiC) широко використовуються в напівпровідниковій промисловості для обробки кремнієвих пластин під час автоматизованого виробництва. Ці кінцеві ефекти зазвичай встановлюються на роботизованих маніпуляторах або вакуумних системах переміщення та призначені для роботи з пластинами різних розмірів, таких як 200 мм та 300 мм. Вони є важливими в таких процесах, як хімічне осадження з парової фази (CVD), фізичне осадження з парової фази (PVD), травлення та дифузія, де поширені високі температури, вакуумні умови та агресивні гази. Виняткова термостійкість та хімічна стабільність SiC роблять його ідеальним матеріалом, який витримує такі суворі умови без деградації.

     

    2. Сумісність із чистими приміщеннями та вакуумом

    У чистих приміщеннях та вакуумних умовах, де забруднення частинками має бути мінімізоване, кераміка SiC пропонує значні переваги. Щільна, гладка поверхня матеріалу протистоїть утворенню частинок, допомагаючи підтримувати цілісність пластини під час транспортування. Це робить кінцеві ефекти SiC особливо добре підходять для критично важливих процесів, таких як екстремальна ультрафіолетова літографія (EUV) та атомно-шарове осадження (ALD), де чистота має вирішальне значення. Крім того, низьке газовиділення та висока плазмостійкість SiC забезпечують надійну роботу у вакуумних камерах, подовжуючи термін служби інструментів та зменшуючи частоту технічного обслуговування.

     

    3. Високоточні системи позиціонування

    Точність і стабільність є життєво важливими в передових системах обробки пластин, особливо в метрологічному, інспекційному та вирівнювальному обладнанні. Кераміка SiC має надзвичайно низький коефіцієнт теплового розширення та високу жорсткість, що дозволяє кінцевому ефектору зберігати свою структурну точність навіть при термоциклуванні або механічному навантаженні. Це гарантує, що пластини залишаються точно вирівняними під час транспортування, мінімізуючи ризик мікроподряпин, перекосу або помилок вимірювання — факторів, які стають все більш критичними на вузлах процесів менше 5 нм.

    Властивості керамічного кінцевого ефектора SiC

    1. Висока механічна міцність і твердість

    Кераміка SiC має виняткову механічну міцність, міцність на вигин часто перевищує 400 МПа, а твердість за Віккерсом перевищує 2000 HV. Це робить її дуже стійкою до механічних навантажень, ударів та зносу навіть після тривалого використання. Висока жорсткість SiC також мінімізує прогин під час високошвидкісного перенесення пластин, забезпечуючи точне та повторюване позиціонування.

     

    2. Відмінна термічна стабільність

    Однією з найцінніших властивостей SiC-кераміки є її здатність витримувати надзвичайно високі температури — часто до 1600°C в інертних атмосферах — без втрати механічної цілісності. Їхній низький коефіцієнт теплового розширення (~4,0 x 10⁻⁶ /K) забезпечує розмірну стабільність при термоциклуванні, що робить їх ідеальними для таких застосувань, як CVD, PVD та високотемпературний відпал.

    Запитання та відповіді про кінцевий ефектор SiC кераміки

    З: Який матеріал використовується в кінцевому ефекторі пластини?

    В:Кінцеві ефектори для пластин зазвичай виготовляються з матеріалів, які забезпечують високу міцність, термостабільність та низький рівень утворення частинок. Серед них кераміка з карбіду кремнію (SiC) є одним з найсучасніших та найбажаніших матеріалів. Кераміка SiC надзвичайно тверда, термостабільна, хімічно інертна та стійка до зносу, що робить її ідеальною для роботи з делікатними кремнієвими пластинами в чистих приміщеннях та вакуумних середовищах. Порівняно з кварцом або покритими металами, SiC пропонує чудову розмірну стабільність за високих температур і не виділяє частинок, що допомагає запобігти забрудненню.

    Кінцевий ефектор SiC12
    Кінцевий ефектор SiC01
    Кінцевий ефектор SiC

  • Попередній:
  • Далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам