Візерунка сапфірова підкладка PSS 2INCH 4INCH 6INCH ICP Сухе травлення може бути використане для світлодіодних чіпів

1. Світлодіодне виробництво:
Покращена ефективність вилучення світла: PSS знижує втрату світла за допомогою конструкції з малюнком, значно покращуючи світлодіодну яскравість та світлу ефективність.

Поліпшення якості епітаксіального росту: структура з візерунками забезпечує кращу базу зростання для епітаксіальних шарів GAN та покращує продуктивність світлодіодів.

2. Лазерний діод (LD):
Лазери з високою потужністю: висока теплопровідність та стабільність PSS підходять для лазерних діодів високої потужності, покращуючи продуктивність та надійність дисипації тепла.

Низький пороговий струм: оптимізувати епітаксіальний ріст, зменшити пороговий струм лазерного діода та підвищити ефективність.

3. Фотопроектор:
Висока чутливість: висока передача світла та низька щільність дефектів PSS покращують чутливість та швидкість реакції фотодетектора.

Широка спектральна реакція: підходить для фотоелектричного виявлення в ультрафіолетовому до видимого діапазону.

4. Електроніка живлення:
Висока стійкість до напруги: Висока ізоляція Сапфіру та термічна стійкість підходять для пристроїв потужності високої напруги.

Ефективне розсіювання тепла: Висока теплопровідність покращує ефективність розсіювання тепла енергетичних пристроїв та продовжує термін служби.

5. RF -пристрої:
Висока частотна продуктивність: низька діелектрична втрата та висока термічна стійкість PSS підходять для високочастотних пристроїв RF.

Низький шум: висока площина та низька щільність дефектів зменшують шум пристрою та покращують якість сигналу.

6. Біосенсори:
Виявлення високої чутливості: Висока передача світла та хімічна стійкість PSS підходять для біосенсорів високої чутливості.

Біосумісність: Біосумісність сапфіру робить його придатним для медичних та біодитекційних застосувань.
Візерунковий підкладка сапфіру (PSS) з епітаксіальним матеріалом GAN:

Візерунковий підкладка сапфіру (PSS) - ідеальний підкладка для епітаксіального росту GAN (нітрид галій). Константа решітки сапфіру близька до Гана, що може зменшити невідповідності решітки та дефекти епітаксіального росту. Мікро-нано-структура поверхні PSS не тільки покращує ефективність вилучення світла, але й покращує якість кристалів епітаксіального шару GAN, тим самим покращуючи продуктивність та надійність світлодіода.