Пластина P-типу SiC 4H/6H-P 3C-N товщиною 6 дюймів 350 мкм з первинною плоскою орієнтацією

Пластина SiC типу P 4H/6H-P 3C-N товщиною 6 дюймів 350 мкм з первинною плоскою орієнтацією. Зображення.

Короткий опис:

Пластина P-типу SiC, 4H/6H-P 3C-N, являє собою 6-дюймовий напівпровідниковий матеріал товщиною 350 мкм з первинною плоскою орієнтацією, розроблений для передових електронних застосувань. Відома своєю високою теплопровідністю, високою пробивною напругою та стійкістю до екстремальних температур і агресивних середовищ, ця пластина підходить для високопродуктивних електронних пристроїв. Легування P-типу вводить дірки як основні носії заряду, що робить її ідеальною для силової електроніки та радіочастотних застосувань. Її міцна структура забезпечує стабільну роботу в умовах високої напруги та високої частоти, що робить її добре придатною для силових пристроїв, високотемпературної електроніки та високоефективного перетворення енергії. Первинна плоска орієнтація забезпечує точне вирівнювання у виробничому процесі, забезпечуючи узгодженість у виготовленні пристроїв.

Надіслати нам електронного листа

Деталі продукту

Теги продукту

Специфікація Композитні підкладки SiC типу 4H/6H-P Таблиця загальних параметрів

6 дюймовий діаметр підкладки з карбіду кремнію (SiC) Специфікація

Оцінка			Нульове виробництво MPDКлас (Z) Оцінка)	Стандартне виробництвоОцінка (P) Оцінка)	Фіктивний клас (D Оцінка)
Діаметр			145,5 мм~150,0 мм
Товщина			350 мкм ± 25 мкм
Орієнтація пластини			-Offвісь: 2,0°-4,0° у напрямку [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, по осі: 〈111〉± 0,5° для 3C-N
Щільність мікротруб			0 см-2
Питомий опір	p-тип 4H/6H-P		≤0,1 Ом·см		≤0,3 Ом·см
	n-типу 3C-N		≤0,8 мОм·см		≤1 м Ом см
Основна орієнтація на плоску поверхню		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Довжина основної плоскої поверхні			32,5 мм ± 2,0 мм
Вторинна плоска довжина			18,0 мм ± 2,0 мм
Вторинна плоска орієнтація			Кремнієва поверхня догори: 90° за годинниковою стрілкою від головної плоскої поверхні ± 5,0°
Виключення краю			3 мм		6 мм
LTV/TTV/Бутик/Деформація			≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм		≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм
Шорсткість			Польський Ra≤1 нм
			CMP Ra≤0,2 нм		Ra≤0,5 нм
Тріщини на краях під дією високоінтенсивного світла			Жоден		Сукупна довжина ≤ 10 мм, одинична довжина ≤ 2 мм
Шестигранні пластини під дією високоінтенсивного світла			Сукупна площа ≤0,05%		Сукупна площа ≤0,1%
Політипні області під дією високоінтенсивного світла			Жоден		Сукупна площа ≤3%
Візуальні вуглецеві включення			Сукупна площа ≤0,05%		Сукупна площа ≤3%
Подряпини на кремнієвій поверхні, що виникають під впливом високоінтенсивного світла			Жоден		Сукупна довжина ≤1 × діаметр пластини
Крайові чіпи високої інтенсивності світла			Не допускається ширина та глибина ≥0,2 мм		5 дозволено, ≤1 мм кожна
Забруднення поверхні кремнію високою інтенсивністю			Жоден
Упаковка			Касета для кількох пластин або контейнер для однієї пластини

Примітки:

※ Обмеження щодо дефектів застосовуються до всієї поверхні пластини, за винятком зони виключення країв. # Подряпини слід перевіряти на кремнієвій поверхні o

Пластина P-типу SiC, 4H/6H-P 3C-N, розміром 6 дюймів і товщиною 350 мкм, відіграє вирішальну роль у промисловому виробництві високопродуктивної силової електроніки. Її чудова теплопровідність і висока пробивна напруга роблять її ідеальною для виготовлення таких компонентів, як силові перемикачі, діоди та транзистори, що використовуються в умовах високих температур, таких як електромобілі, електричні мережі та системи відновлюваної енергії. Здатність пластини ефективно працювати в суворих умовах забезпечує надійну роботу в промислових застосуваннях, що вимагають високої щільності потужності та енергоефективності. Крім того, її первинна плоска орієнтація сприяє точному вирівнюванню під час виготовлення пристроїв, підвищуючи ефективність виробництва та стабільність продукції.

Переваги композитних підкладок з карбіду кремнію N-типу включають

Висока теплопровідністьПластини SiC P-типу ефективно розсіюють тепло, що робить їх ідеальними для застосування в умовах високих температур.
Висока напруга пробоюЗдатний витримувати високу напругу, що забезпечує надійність силової електроніки та високовольтних пристроїв.
Стійкість до суворих умов експлуатаціїВідмінна довговічність в екстремальних умовах, таких як високі температури та агресивне середовище.
Ефективне перетворення енергіїP-подібне легування сприяє ефективному управлінню потужністю, що робить пластину придатною для систем перетворення енергії.
Основна орієнтація на плоску поверхнюЗабезпечує точне вирівнювання під час виробництва, покращуючи точність та узгодженість пристрою.
Тонка структура (350 мкм)Оптимальна товщина пластини забезпечує інтеграцію в передові електронні пристрої з обмеженим простором.

Загалом, пластина P-типу SiC, 4H/6H-P 3C-N, пропонує низку переваг, що роблять її дуже придатною для промислового та електронного застосування. Її висока теплопровідність та пробивна напруга забезпечують надійну роботу в умовах високих температур та високої напруги, а стійкість до суворих умов гарантує довговічність. Легування P-типу забезпечує ефективне перетворення енергії, що робить її ідеальною для силової електроніки та енергетичних систем. Крім того, первинна плоска орієнтація пластини забезпечує точне вирівнювання під час виробничого процесу, підвищуючи стабільність виробництва. Завдяки товщині 350 мкм вона добре підходить для інтеграції в сучасні компактні пристрої.