П-тип SiC пластина 4H/6H-P 3C-N 6 дюймів товщиною 350 мкм з первинною плоскою орієнтацією

Короткий опис:

Пластина SiC P-типу, 4H/6H-P 3C-N, є 6-дюймовим напівпровідниковим матеріалом товщиною 350 мкм і основною плоскою орієнтацією, розробленим для передових електронних застосувань. Ця пластина, відома своєю високою теплопровідністю, високою напругою пробою та стійкістю до екстремальних температур і корозійних середовищ, підходить для високопродуктивних електронних пристроїв. Легування P-типу вводить дірки як первинні носії заряду, що робить його ідеальним для силової електроніки та радіочастотних додатків. Його міцна структура забезпечує стабільну роботу в умовах високої напруги та високої частоти, завдяки чому він добре підходить для силових пристроїв, високотемпературної електроніки та високоефективного перетворення енергії. Основна плоска орієнтація забезпечує точне вирівнювання в процесі виробництва, забезпечуючи послідовність у виготовленні пристрою.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Таблиця загальних параметрів для композитних підкладок SiC типу 4H/6H-P

6 Діаметр дюймів Підкладка з карбіду кремнію (SiC). Специфікація

Оцінка			Нульове виробництво MPDОцінка (З клас)	Стандартне виробництвоОцінка (П клас)	Підставна оцінка (D клас)
Діаметр			145,5 мм~150,0 мм
Товщина			350 мкм ± 25 мкм
Орієнтація пластин			-Offвісь: 2,0°-4,0° у бік [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, на осі: 〈111〉± 0,5° для 3C-N
Щільність мікротрубки			0 см-2
Питомий опір	p-тип 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏсм		≤0,3 Ωꞏсм
	n-тип 3C-N		≤0,8 мОм/см		≤1 м Ωꞏсм
Первинна плоска орієнтація		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Первинна плоска довжина			32,5 мм ± 2,0 мм
Вторинна плоска довжина			18,0 мм ± 2,0 мм
Вторинна плоска орієнтація			Силікон лицьовою стороною вгору: 90° CW. від основної площини ± 5,0°
Виключення краю			3 мм		6 мм
LTV/TTV/Лук/Деформація			≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм		≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм
Шорсткість			Польський Ra≤1 нм
			CMP Ra≤0,2 нм		Ra≤0,5 нм
Тріщини на краях світлом високої інтенсивності			Жодного		Сукупна довжина ≤ 10 мм, одинична довжина ≤ 2 мм
Шестигранні пластини від світла високої інтенсивності			Сукупна площа ≤0,05%		Сукупна площа ≤0,1%
Області політипу за допомогою світла високої інтенсивності			Жодного		Сукупна площа≤3%
Візуальні включення вуглецю			Сукупна площа ≤0,05%		Сукупна площа ≤3%
Кремнієва поверхня подряпина світлом високої інтенсивності			Жодного		Сукупна довжина≤1 × діаметр пластини
Сколки країв високої інтенсивності світла			Не допускається ширина та глибина ≥0,2 мм		Дозволено 5, ≤1 мм кожен
Забруднення поверхні кремнієм високої інтенсивності			Жодного
Упаковка			Касета з декількома пластинами або одновафельний контейнер

Примітки:

※ Обмеження дефектів застосовуються до всієї поверхні пластини, за винятком зони виключення країв. # Подряпини слід перевіряти на поверхні Si o

Пластина SiC типу P, 4H/6H-P 3C-N, розміром 6 дюймів і товщиною 350 мкм, відіграє вирішальну роль у промисловому виробництві високопродуктивної силової електроніки. Його відмінна теплопровідність і висока напруга пробою роблять його ідеальним для виготовлення таких компонентів, як перемикачі живлення, діоди та транзистори, що використовуються в середовищах з високими температурами, наприклад, в електромобілях, електромережах і системах відновлюваної енергії. Здатність пластини ефективно працювати в суворих умовах забезпечує надійну роботу в промислових застосуваннях, що вимагають високої щільності потужності та енергоефективності. Крім того, його основна плоска орієнтація сприяє точному вирівнюванню під час виготовлення пристрою, підвищуючи ефективність виробництва та консистенцію продукту.

Переваги композитних підкладок SiC N-типу включають

Висока теплопровідність: Пластини SiC P-типу ефективно розсіюють тепло, що робить їх ідеальними для застосування при високих температурах.
Висока напруга пробою: здатний витримувати високу напругу, забезпечуючи надійність силової електроніки та високовольтних пристроїв.
Стійкість до несприятливих умов: Чудова довговічність в екстремальних умовах, таких як високі температури та корозійне середовище.
Ефективне перетворення електроенергії: легування P-типу сприяє ефективній обробці енергії, що робить пластину придатною для систем перетворення енергії.
Первинна плоска орієнтація: Забезпечує точне вирівнювання під час виробництва, покращуючи точність і узгодженість пристрою.
Тонка структура (350 мкм): оптимальна товщина пластини підтримує інтеграцію в передові електронні пристрої з обмеженим простором.

Загалом пластина SiC P-типу, 4H/6H-P 3C-N, пропонує низку переваг, які роблять її дуже придатною для промислового та електронного застосування. Його висока теплопровідність і напруга пробою забезпечують надійну роботу в середовищах з високою температурою та високою напругою, а стійкість до суворих умов забезпечує довговічність. Легування P-типу забезпечує ефективне перетворення електроенергії, що робить його ідеальним для силової електроніки та енергетичних систем. Крім того, первинна плоска орієнтація пластини забезпечує точне вирівнювання під час виробничого процесу, підвищуючи послідовність виробництва. Завдяки товщині 350 мкм він добре підходить для інтеграції в просунуті компактні пристрої.