p-тип 4H/6H-P 3C-N ТИПУ SIC підкладка 4 дюйми 〈111〉± 0,5°Нульовий MPD
Таблиця загальних параметрів композитних підкладок SiC типу 4H/6H-P
4 дюймовий діаметр кремніюКарбідна (SiC) підкладка Специфікація
| Оцінка | Нульове виробництво MPD Клас (Z) Оцінка) | Стандартне виробництво Оцінка (P) Оцінка) | Фіктивний клас (D Оцінка) | ||
| Діаметр | 99,5 мм~100,0 мм | ||||
| Товщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Орієнтація пластини | Поза осью: 2,0°-4,0° у напрямку [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, OВісь n:〈111〉± 0,5° для 3C-N | ||||
| Щільність мікротруб | 0 см-2 | ||||
| Питомий опір | p-тип 4H/6H-P | ≤0,1 Ом·см | ≤0,3 Ом·см | ||
| n-типу 3C-N | ≤0,8 мОм·см | ≤1 м Ом см | |||
| Основна орієнтація на плоску поверхню | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Довжина основної плоскої поверхні | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторинна плоска довжина | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторинна плоска орієнтація | Кремнієва поверхня догори: 90° за годинниковою стрілкою від головної плоскої поверхні±5,0° | ||||
| Виключення краю | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Бутик/Деформація | ≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм | ≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм | |||
| Шорсткість | Польський Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0,2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Тріщини на краях під дією високоінтенсивного світла | Жоден | Сукупна довжина ≤ 10 мм, одинична довжина ≤ 2 мм | |||
| Шестигранні пластини під дією високоінтенсивного світла | Сукупна площа ≤0,05% | Сукупна площа ≤0,1% | |||
| Політипні області під дією високоінтенсивного світла | Жоден | Сукупна площа ≤3% | |||
| Візуальні вуглецеві включення | Сукупна площа ≤0,05% | Сукупна площа ≤3% | |||
| Подряпини на кремнієвій поверхні, що виникають під впливом високоінтенсивного світла | Жоден | Сукупна довжина ≤1 × діаметр пластини | |||
| Крайові чіпи високої інтенсивності світла | Не допускається ширина та глибина ≥0,2 мм | 5 дозволено, ≤1 мм кожна | |||
| Забруднення поверхні кремнію високою інтенсивністю | Жоден | ||||
| Упаковка | Касета для кількох пластин або контейнер для однієї пластини | ||||
Примітки:
※Обмеження щодо дефектів застосовуються до всієї поверхні пластини, за винятком зони виключення країв. # Подряпини слід перевіряти лише на кремнієвій поверхні.
4-дюймова підкладка SiC типу P 4H/6H-P 3C-N з орієнтацією 〈111〉± 0,5° та класом нульового MPD широко використовується у високопродуктивних електронних пристроях. Її чудова теплопровідність та висока пробивна напруга роблять її ідеальною для силової електроніки, такої як високовольтні ключі, інвертори та перетворювачі потужності, що працюють в екстремальних умовах. Крім того, стійкість підкладки до високих температур та корозії забезпечує стабільну роботу в суворих умовах. Точна орієнтація 〈111〉± 0,5° підвищує точність виробництва, що робить її придатною для радіочастотних пристроїв та високочастотних застосувань, таких як радіолокаційні системи та обладнання бездротового зв'язку.
Переваги композитних підкладок з карбіду кремнію N-типу включають:
1. Висока теплопровідність: ефективне розсіювання тепла, що робить його придатним для використання в умовах високих температур та потужних застосувань.
2. Висока напруга пробою: забезпечує надійну роботу у високовольтних пристроях, таких як перетворювачі потужності та інвертори.
3. Нульовий MPD (мікродефект труб): гарантує мінімальні дефекти, забезпечуючи стабільність та високу надійність критично важливих електронних пристроїв.
4. Стійкість до корозії: Міцний у суворих умовах, що забезпечує тривалу функціональність у складних умовах.
5. Точна орієнтація 〈111〉± 0,5°: Забезпечує точне вирівнювання під час виробництва, покращуючи продуктивність пристрою у високочастотних та радіочастотних застосуваннях.
Загалом, 4-дюймова підкладка SiC типу P з орієнтацією 〈111〉± 0,5° та класом Zero MPD є високопродуктивним матеріалом, ідеальним для передових електронних застосувань. Її чудова теплопровідність та висока пробивна напруга роблять її ідеальною для силової електроніки, такої як високовольтні ключі, інвертори та перетворювачі. Клас Zero MPD гарантує мінімальні дефекти, забезпечуючи надійність та стабільність у критично важливих пристроях. Крім того, стійкість підкладки до корозії та високих температур забезпечує довговічність у суворих умовах. Точна орієнтація 〈111〉± 0,5° дозволяє точно вирівнювати під час виробництва, що робить її дуже придатною для радіочастотних пристроїв та високочастотних застосувань.
Детальна діаграма
