p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC субстрат 4 дюйми 〈111〉± 0,5° Zero MPD

Короткий опис:

Підкладка SiC типу P-type 4H/6H-P 3C-N, 4 дюйми з орієнтацією 〈111〉± 0,5° і класом Zero MPD (Micro Pipe Defect), є високоефективним напівпровідниковим матеріалом, розробленим для сучасних електронних пристроїв. виробництво. Ця підкладка, відома своєю чудовою теплопровідністю, високою напругою пробою та високою стійкістю до високих температур і корозії, ідеально підходить для силової електроніки та радіочастот. Сорт Zero MPD гарантує мінімальні дефекти, забезпечуючи надійність і стабільність у високопродуктивних пристроях. Його точна орієнтація 〈111〉± 0,5° забезпечує точне вирівнювання під час виготовлення, що робить його придатним для великомасштабних виробничих процесів. Ця підкладка широко використовується у високотемпературних, високовольтних і високочастотних електронних пристроях, таких як перетворювачі потужності, інвертори та радіочастотні компоненти.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Таблиця загальних параметрів для композитних підкладок SiC типу 4H/6H-P

4 діаметр дюймів СиліконПідкладка з карбіду (SiC). Специфікація

Оцінка			Нульове виробництво MPD Оцінка (З клас)	Стандартне виробництво Оцінка (П клас)	Фіктивна оцінка (D клас)
Діаметр			99,5 мм ~ 100,0 мм
Товщина			350 мкм ± 25 мкм
Орієнтація пластин			Поза осі: 2,0°-4,0° у бік [112(-)0] ± 0,5° для 4H/6H-P, Oвісь n:〈111〉± 0,5° для 3C-N
Щільність мікротрубки			0 см-2
Питомий опір	p-тип 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏсм		≤0,3 Ωꞏсм
	n-тип 3C-N		≤0,8 мОм/см		≤1 м Ωꞏсм
Первинна плоска орієнтація		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Первинна плоска довжина			32,5 мм ± 2,0 мм
Вторинна плоска довжина			18,0 мм ± 2,0 мм
Вторинна плоска орієнтація			Силікон лицьовою стороною вгору: 90° CW. від Prime flat±5,0°
Виключення краю			3 мм		6 мм
LTV/TTV/Лук/Деформація			≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм		≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм
Шорсткість			Польський Ra≤1 нм
			CMP Ra≤0,2 нм		Ra≤0,5 нм
Тріщини на краях світлом високої інтенсивності			Жодного		Сукупна довжина ≤ 10 мм, одинична довжина ≤ 2 мм
Шестигранні пластини від світла високої інтенсивності			Сукупна площа ≤0,05%		Сукупна площа ≤0,1%
Області політипу під світлом високої інтенсивності			Жодного		Сукупна площа≤3%
Візуальні включення вуглецю			Сукупна площа ≤0,05%		Сукупна площа ≤3%
Кремнієва поверхня подряпина світлом високої інтенсивності			Жодного		Сукупна довжина≤1 × діаметр пластини
Крайні чіпи високої інтенсивності світла			Не допускається ширина та глибина ≥0,2 мм		Дозволено 5, ≤1 мм кожен
Забруднення поверхні кремнієм високої інтенсивності			Жодного
Упаковка			Касета з кількома пластинами або одновафельний контейнер

Примітки:

※Обмеження дефектів застосовуються до всієї поверхні пластини, за винятком зони виключення краю. # Подряпини слід перевіряти лише на поверхні Si.

4-дюймова SiC-підкладка типу P-type 4H/6H-P 3C-N з орієнтацією 〈111〉± 0,5° і класом Zero MPD широко використовується у високопродуктивних електронних додатках. Його відмінна теплопровідність і висока напруга пробою роблять його ідеальним для силової електроніки, такої як високовольтні комутатори, інвертори та перетворювачі потужності, що працюють в екстремальних умовах. Крім того, стійкість підкладки до високих температур і корозії забезпечує стабільну роботу в суворих умовах. Точна орієнтація 〈111〉± 0,5° підвищує точність виробництва, роблячи його придатним для радіочастотних пристроїв і високочастотних додатків, таких як радарні системи та обладнання бездротового зв’язку.

Переваги композитних підкладок SiC N-типу включають:

1. Висока теплопровідність: ефективне розсіювання тепла, що робить його придатним для високотемпературних середовищ і потужних застосувань.
2. Висока напруга пробою: забезпечує надійну роботу в системах високої напруги, таких як перетворювачі та інвертори.
3. Клас Zero MPD (Micro Pipe Defect): Гарантує мінімальну кількість дефектів, забезпечуючи стабільність і високу надійність у критичних електронних пристроях.
4. Стійкість до корозії: міцний у суворих умовах, що забезпечує тривалу роботу в складних умовах.
5. Точна орієнтація 〈111〉± 0,5°: забезпечує точне вирівнювання під час виробництва, покращуючи продуктивність пристрою у високочастотних і радіочастотних програмах.

Загалом, 4-дюймова SiC-підкладка типу P-type 4H/6H-P 3C-N з орієнтацією 〈111〉± 0,5° і класом Zero MPD є високоефективним матеріалом, ідеальним для просунутих електронних застосувань. Його відмінна теплопровідність і висока напруга пробою роблять його ідеальним для силової електроніки, наприклад високовольтних комутаторів, інверторів і перетворювачів. Клас Zero MPD забезпечує мінімальні дефекти, забезпечуючи надійність і стабільність у критичних пристроях. Крім того, стійкість основи до корозії та високих температур забезпечує довговічність у суворих умовах. Точна орієнтація 〈111〉± 0,5° забезпечує точне вирівнювання під час виробництва, що робить його дуже придатним для радіочастотних пристроїв і високочастотних додатків.