Фотодетекторні матриці PD Array на основі епітаксіальної пластини InGaAs можуть бути використані для LiDAR
Ключові особливості лазерного епітаксіального листа InGaAs включають
1. Узгодження ґраток: Гарне узгодження ґраток може бути досягнуто між епітаксійним шаром InGaAs та підкладкою InP або GaAs, тим самим зменшуючи щільність дефектів епітаксійного шару та покращуючи продуктивність пристрою.
2. Регульована ширина забороненої зони: Ширина забороненої зони матеріалу InGaAs може бути досягнута шляхом регулювання пропорції компонентів In та Ga, що робить епітаксіальний лист InGaAs широким застосовним в оптоелектронних пристроях.
3. Висока фоточутливість: епітаксіальна плівка InGaAs має високу чутливість до світла, що робить її унікальною перевагою в галузі фотоелектричного детектування, оптичного зв'язку та інших.
4. Стабільність за високих температур: епітаксіальна структура InGaAs/InP має чудову стабільність за високих температур і може підтримувати стабільну роботу пристрою за високих температур.
Основні застосування лазерних епітаксіальних таблеток InGaAs включають
1. Оптоелектронні пристрої: епітаксіальні таблетки InGaAs можуть бути використані для виготовлення фотодіодів, фотодетекторів та інших оптоелектронних пристроїв, які мають широкий спектр застосування в оптичному зв'язку, нічному баченні та інших галузях.
2. Лазери: Епітаксіальні листи InGaAs також можуть бути використані для виготовлення лазерів, особливо довгохвильових лазерів, які відіграють важливу роль в оптичному волоконному зв'язку, промисловій обробці та інших галузях.
3. Сонячні елементи: матеріал InGaAs має широкий діапазон регулювання ширини забороненої зони, що може задовольнити вимоги до ширини забороненої зони, необхідні для теплових фотоелектричних елементів, тому епітаксіальний лист InGaAs також має певний потенціал застосування в галузі сонячних елементів.
4. Медична візуалізація: У медичному обладнанні для візуалізації (такому як КТ, МРТ тощо) для виявлення та візуалізації.
5. Сенсорна мережа: під час моніторингу навколишнього середовища та виявлення газів можна одночасно контролювати кілька параметрів.
6. Промислова автоматизація: використовується в системах машинного зору для контролю стану та якості об'єктів на виробничій лінії.
У майбутньому властивості матеріалу епітаксіальної підкладки InGaAs продовжуватимуть покращуватися, включаючи підвищення ефективності фотоелектричного перетворення та зниження рівня шуму. Це зробить епітаксіальну підкладку InGaAs більш широко використовуваною в оптоелектронних пристроях, а її характеристики будуть кращими. Водночас процес приготування також буде постійно оптимізуватися для зниження витрат та підвищення ефективності, щоб задовольнити потреби ширшого ринку.
Загалом, епітаксіальна підкладка InGaAs займає важливе місце в галузі напівпровідникових матеріалів завдяки своїм унікальним характеристикам та широким перспективам застосування.
XKH пропонує виготовлення епітаксіальних листів InGaAs на замовлення з різною структурою та товщиною, що охоплює широкий спектр застосувань для оптоелектронних пристроїв, лазерів та сонячних елементів. Продукція XKH виготовляється на передовому обладнанні MOCVD для забезпечення високої продуктивності та надійності. Що стосується логістики, XKH має широкий спектр міжнародних каналів постачання, що дозволяє гнучко обробляти кількість замовлень та надавати послуги з доданою вартістю, такі як уточнення та сегментація. Ефективні процеси доставки забезпечують своєчасну доставку та відповідають вимогам клієнтів щодо якості та термінів доставки.
Детальна діаграма
