English

12-дюймовий сапфіровий пластинчастий C-площинний SSP/DSP

12-дюймова сапфірова пластина C-Plane SSP/DSP, зображення на зображенні
  • 12-дюймовий сапфіровий пластинчастий C-площинний SSP/DSP
  • 12-дюймовий сапфіровий пластинчастий C-площинний SSP/DSP

Короткий опис:

Елемент Специфікація
Діаметр 2 дюйми 4 дюйми 6 дюймів 8 дюймів 12 дюймів
Матеріал Штучний сапфір (Al2O3 ≥ 99,99%)
Товщина 430±15 мкм 650±15 мкм 1300±20 мкм 1300±20 мкм 3000±20 мкм
Поверхня
орієнтація		 c-площина(0001)
Довжина OF 16±1 мм 30±1 мм 47,5±2,5 мм 47,5±2,5 мм *торгується
Орієнтація OF площина a 0±0,3°
ТТВ * ≦10 мкм ≦10 мкм ≦15 мкм ≦15 мкм *торгується
БОК * -10 ~ 0 мкм -15 ~ 0 мкм -20 ~ 0 мкм -25 ~ 0 мкм *торгується
Деформація * ≦15 мкм ≦20 мкм ≦25 мкм ≦30 мкм *торгується
Передня сторона
оздоблення		 Епі-реабілітація (Ra < 0,3 нм)
Зворотній бік
оздоблення		 Притирка (Ra 0,6 – 1,2 мкм)
Упаковка Вакуумне пакування в чистій кімнаті
Вищий сорт Високоякісне очищення: розмір частинок ≧ 0,3 мкм), ≦ 0,18 шт./см², забруднення металу ≦ 2E10⁻⁶/см²
Зауваження Налаштовувані характеристики: орієнтація в площині a/r/m, нестандартний кут, форма, двостороннє полірування

Особливості

Детальна діаграма

ЗОБРАЖЕННЯ_
ЗОБРАЖЕННЯ_(1)

Вступ до сапфіру

Сапфірова пластина — це монокристалічний матеріал підкладки, виготовлений з високочистого синтетичного оксиду алюмінію (Al₂O₃). Великі кристали сапфіру вирощуються за допомогою передових методів, таких як метод Кіропулоса (KY) або метод теплообміну (HEM), а потім обробляються шляхом різання, орієнтації, шліфування та точного полірування. Завдяки своїм винятковим фізичним, оптичним та хімічним властивостям, сапфірова пластина відіграє незамінну роль у галузях напівпровідників, оптоелектроніки та високоякісної побутової електроніки.

IMG_0785_副本

Основні методи синтезу сапфірів

Метод Принцип Переваги Основні застосування
Метод Вернейля(Полум'яне злиття) Високочистий порошок Al₂O₃ плавиться в киснево-водневому полум'ї, краплі застигають шар за шаром на зародку. Низька вартість, висока ефективність, відносно простий процес Сапфіри ювелірної якості, ранні оптичні матеріали
Метод Чохральського (Чехія) Al₂O₃ плавлять у тиглі, і зародковий кристал повільно витягують вгору для вирощування кристала. Утворює відносно великі кристали з хорошою цілісністю Лазерні кристали, оптичні вікна
Метод Кіропулоса (Кентуккі) Контрольоване повільне охолодження дозволяє кристалу поступово рости всередині тигля Здатний вирощувати кристали великого розміру з низьким рівнем напруження (десятки кілограмів або більше) Світлодіодні підкладки, екрани смартфонів, оптичні компоненти
Метод HEM(Теплообмін) Охолодження починається зверху тигля, кристали ростуть вниз від затравки. Виробляє дуже великі кристали (до сотень кілограмів) з однорідною якістю Великі оптичні вікна, аерокосмічна, військова оптика
1
2
3
4

Орієнтація кристалів

Орієнтація / Площина Індекс Міллера Характеристики Основні застосування
C-літак (0001) Перпендикулярно до осі c, полярна поверхня, атоми розташовані рівномірно Світлодіоди, лазерні діоди, епітаксіальні підкладки GaN (найширше використовувані)
Літак А (11-20) Паралельна осі c, неполярна поверхня, що дозволяє уникнути ефектів поляризації Неполярна епітаксія GaN, оптоелектронні прилади
Літак M (10-10) Паралельно осі c, неполярний, висока симетрія Високопродуктивна епітаксія GaN, оптоелектронні прилади
R-площина (1-102) Нахилений до осі c, чудові оптичні властивості Оптичні вікна, інфрачервоні детектори, лазерні компоненти

 

орієнтація кристалів

Специфікація сапфірової пластини (налаштовується)

Елемент 1-дюймові сапфірові пластини C-площини (0001) 430 мкм
Кристалічні матеріали 99,999%, висока чистота, монокристалічний Al2O3
Оцінка Прайм, готовий до епідеміологічної дії
Орієнтація поверхні C-площина (0001)
Кут відхилення площини C відносно осі M 0,2 +/- 0,1°
Діаметр 25,4 мм +/- 0,1 мм
Товщина 430 мкм +/- 25 мкм
Одностороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ППК) Задня поверхня Дрібно подрібнений, Ra = від 0,8 мкм до 1,2 мкм
Двостороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ДСП) Задня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
ТТВ < 5 мкм
ЛУК < 5 мкм
ДЕФОРМАЦІЯ < 5 мкм
Очищення / Упаковка Прибирання чистих приміщень класу 100 та вакуумне пакування,
25 штук в одній касетній упаковці або в упаковці по одному штуку.

 

Елемент 2-дюймові сапфірові пластини C-площини (0001) 430 мкм
Кристалічні матеріали 99,999%, висока чистота, монокристалічний Al2O3
Оцінка Прайм, готовий до епідеміологічної дії
Орієнтація поверхні C-площина (0001)
Кут відхилення площини C відносно осі M 0,2 +/- 0,1°
Діаметр 50,8 мм +/- 0,1 мм
Товщина 430 мкм +/- 25 мкм
Основна орієнтація на плоску поверхню Площина А (11-20) +/- 0,2°
Довжина основної плоскої поверхні 16,0 мм +/- 1,0 мм
Одностороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ППК) Задня поверхня Дрібно подрібнений, Ra = від 0,8 мкм до 1,2 мкм
Двостороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ДСП) Задня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
ТТВ < 10 мкм
ЛУК < 10 мкм
ДЕФОРМАЦІЯ < 10 мкм
Очищення / Упаковка Прибирання чистих приміщень класу 100 та вакуумне пакування,
25 штук в одній касетній упаковці або в упаковці по одному штуку.
Елемент 3-дюймові сапфірові пластини C-площини (0001) 500 мкм
Кристалічні матеріали 99,999%, висока чистота, монокристалічний Al2O3
Оцінка Прайм, готовий до епідеміологічної дії
Орієнтація поверхні C-площина (0001)
Кут відхилення площини C відносно осі M 0,2 +/- 0,1°
Діаметр 76,2 мм +/- 0,1 мм
Товщина 500 мкм +/- 25 мкм
Основна орієнтація на плоску поверхню Площина А (11-20) +/- 0,2°
Довжина основної плоскої поверхні 22,0 мм +/- 1,0 мм
Одностороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ППК) Задня поверхня Дрібно подрібнений, Ra = від 0,8 мкм до 1,2 мкм
Двостороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ДСП) Задня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
ТТВ < 15 мкм
ЛУК < 15 мкм
ДЕФОРМАЦІЯ < 15 мкм
Очищення / Упаковка Прибирання чистих приміщень класу 100 та вакуумне пакування,
25 штук в одній касетній упаковці або в упаковці по одному штуку.
Елемент 4-дюймові сапфірові пластини C-площини (0001) 650 мкм
Кристалічні матеріали 99,999%, висока чистота, монокристалічний Al2O3
Оцінка Прайм, готовий до епідеміологічної дії
Орієнтація поверхні C-площина (0001)
Кут відхилення площини C відносно осі M 0,2 +/- 0,1°
Діаметр 100,0 мм +/- 0,1 мм
Товщина 650 мкм +/- 25 мкм
Основна орієнтація на плоску поверхню Площина А (11-20) +/- 0,2°
Довжина основної плоскої поверхні 30,0 мм +/- 1,0 мм
Одностороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ППК) Задня поверхня Дрібно подрібнений, Ra = від 0,8 мкм до 1,2 мкм
Двостороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ДСП) Задня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
ТТВ < 20 мкм
ЛУК < 20 мкм
ДЕФОРМАЦІЯ < 20 мкм
Очищення / Упаковка Прибирання чистих приміщень класу 100 та вакуумне пакування,
25 штук в одній касетній упаковці або в упаковці по одному штуку.
Елемент 6-дюймові сапфірові пластини C-площини (0001) 1300 мкм
Кристалічні матеріали 99,999%, висока чистота, монокристалічний Al2O3
Оцінка Прайм, готовий до епідеміологічної дії
Орієнтація поверхні C-площина (0001)
Кут відхилення площини C відносно осі M 0,2 +/- 0,1°
Діаметр 150,0 мм +/- 0,2 мм
Товщина 1300 мкм +/- 25 мкм
Основна орієнтація на плоску поверхню Площина А (11-20) +/- 0,2°
Довжина основної плоскої поверхні 47,0 мм +/- 1,0 мм
Одностороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ППК) Задня поверхня Дрібно подрібнений, Ra = від 0,8 мкм до 1,2 мкм
Двостороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ДСП) Задня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
ТТВ < 25 мкм
ЛУК < 25 мкм
ДЕФОРМАЦІЯ < 25 мкм
Очищення / Упаковка Прибирання чистих приміщень класу 100 та вакуумне пакування,
25 штук в одній касетній упаковці або в упаковці по одному штуку.
Елемент 8-дюймові сапфірові пластини C-площини (0001) 1300 мкм
Кристалічні матеріали 99,999%, висока чистота, монокристалічний Al2O3
Оцінка Прайм, готовий до епідеміологічної дії
Орієнтація поверхні C-площина (0001)
Кут відхилення площини C відносно осі M 0,2 +/- 0,1°
Діаметр 200,0 мм +/- 0,2 мм
Товщина 1300 мкм +/- 25 мкм
Одностороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ППК) Задня поверхня Дрібно подрібнений, Ra = від 0,8 мкм до 1,2 мкм
Двостороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ДСП) Задня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
ТТВ < 30 мкм
ЛУК < 30 мкм
ДЕФОРМАЦІЯ < 30 мкм
Очищення / Упаковка Прибирання чистих приміщень класу 100 та вакуумне пакування,
Упаковка по одному шматку.

 

Елемент 12-дюймові сапфірові пластини C-площини (0001) 1300 мкм
Кристалічні матеріали 99,999%, висока чистота, монокристалічний Al2O3
Оцінка Прайм, готовий до епідеміологічної дії
Орієнтація поверхні C-площина (0001)
Кут відхилення площини C відносно осі M 0,2 +/- 0,1°
Діаметр 300,0 мм +/- 0,2 мм
Товщина 3000 мкм +/- 25 мкм
Одностороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ППК) Задня поверхня Дрібно подрібнений, Ra = від 0,8 мкм до 1,2 мкм
Двостороннє полірування Передня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
(ДСП) Задня поверхня Епі-полірування, Ra < 0,2 нм (за допомогою АСМ)
ТТВ < 30 мкм
ЛУК < 30 мкм
ДЕФОРМАЦІЯ < 30 мкм

 

Процес виробництва сапфірових пластин

  1. Ріст кристалів

    • Вирощуйте сапфірові кулі (100–400 кг) методом Кіропулоса (KY) у спеціалізованих печах для вирощування кристалів.

  2. Свердління та формування злитків

    • Використовуйте бурильний стовбур для обробки були в циліндричні злитки діаметром 2–6 дюймів та довжиною 50–200 мм.

  3. Перший відпал

    • Перевірте злитки на наявність дефектів та виконайте перший високотемпературний відпал для зняття внутрішньої напруги.

  4. Орієнтація кристалів

    • Визначте точну орієнтацію сапфірового злитка (наприклад, площина C, площина A, площина R) за допомогою орієнтувальних інструментів.

  5. Різання багатодротовою пилкою

    • Наріжте злиток на тонкі пластини відповідно до необхідної товщини за допомогою багатодротового різального обладнання.

  6. Початкова перевірка та другий відпал

    • Перевірте нарізані пластини (товщину, площинність, дефекти поверхні).

    • За потреби проведіть відпал ще раз для подальшого покращення якості кристалів.

  7. Зняття фасок, шліфування та полірування CMP

    • Виконуйте зняття фасок, шліфування поверхні та хіміко-механічне полірування (ХМП) за допомогою спеціалізованого обладнання для досягнення дзеркально-чистої поверхні.

  8. Прибирання

    • Ретельно очистіть пластини, використовуючи надчисту воду та хімікати в чистому приміщенні, щоб видалити частинки та забруднення.

  9. Оптичний та фізичний огляд

    • Проведіть вимірювання пропускання та запишіть оптичні дані.

    • Вимірюйте параметри пластини, включаючи TTV (загальну варіацію товщини), вигин, деформацію, точність орієнтації та шорсткість поверхні.

  10. Покриття (необов'язково)

  • Наносити покриття (наприклад, AR-покриття, захисні шари) відповідно до специфікацій замовника.

  1. Остаточна перевірка та упаковка

  • Виконайте 100% перевірку якості в чистому приміщенні.

  • Упакуйте пластини в касетні коробки в умовах чистоти класу 100 та вакуумно запакуйте їх перед відправкою.

20230721140133_51018

Застосування сапфірових пластин

Сапфірові пластини, завдяки своїй винятковій твердості, видатному оптичному пропусканню, чудовим тепловим характеристикам та електроізоляції, широко застосовуються в багатьох галузях промисловості. Їхнє застосування охоплює не лише традиційні світлодіодні та оптоелектронні галузі, але й розширюється в напівпровідниках, побутовій електроніці, а також у передових аерокосмічних та оборонних галузях.

1. Напівпровідники та оптоелектроніка

Світлодіодні підкладки
Сапфірові пластини є основними підкладками для епітаксіального вирощування нітриду галію (GaN), який широко використовується в синіх світлодіодах, білих світлодіодах та технологіях Mini/Micro LED.

Лазерні діоди (ЛД)
Як підкладки для лазерних діодів на основі GaN, сапфірові пластини підтримують розробку потужних лазерних пристроїв з тривалим терміном служби.

Фотодетектори
У ультрафіолетових та інфрачервоних фотодетекторах сапфірові пластини часто використовуються як прозорі вікна та ізоляційні підкладки.

2. Напівпровідникові прилади

RFIC (радіочастотні інтегральні схеми)
Завдяки своїй чудовій електроізоляції, сапфірові пластини є ідеальними підкладками для високочастотних та потужних мікрохвильових пристроїв.

Технологія кремнію на сапфірі (SoS)
Завдяки застосуванню технології SoS можна значно зменшити паразитну ємність, що покращує продуктивність схеми. Це широко використовується в радіочастотному зв'язку та аерокосмічній електроніці.

3. Оптичні застосування

Інфрачервоні оптичні вікна
Завдяки високій пропускальній здатності в діапазоні довжин хвиль від 200 нм до 5000 нм, сапфір широко використовується в інфрачервоних детекторах та системах інфрачервоного наведення.

Потужні лазерні вікна
Твердість і термостійкість сапфіру роблять його чудовим матеріалом для захисних вікон та лінз у потужних лазерних системах.

4. Побутова електроніка

Кришки для об'єктивів камери
Висока твердість сапфіру забезпечує стійкість до подряпин на об'єктивах смартфонів і камер.

Датчики відбитків пальців
Сапфірові пластини можуть служити міцними, прозорими покриттями, що підвищують точність і надійність розпізнавання відбитків пальців.

Розумні годинники та преміум-дисплеї
Сапфірові екрани поєднують стійкість до подряпин з високою оптичною чіткістю, що робить їх популярними у високоякісних електронних виробах.

5. Аерокосмічна та оборонна промисловість

Інфрачервоні куполи для ракет
Сапфірові вікна залишаються прозорими та стабільними за умов високої температури та високої швидкості.

Аерокосмічні оптичні системи
Вони використовуються у високоміцних оптичних вікнах та спостережному обладнанні, призначеному для екстремальних умов.

20240805153109_20914

Інші поширені вироби з сапфіру

Оптичні вироби

  • Сапфірові оптичні вікна

    • Використовується в лазерах, спектрометрах, системах інфрачервоної візуалізації та вікнах датчиків.

    • Діапазон передачі:УФ-діапазон від 150 нм до середнього ІЧ-діапазону 5,5 мкм.

  • Сапфірові лінзи

    • Застосовується в потужних лазерних системах та аерокосмічній оптиці.

    • Можуть виготовлятися у вигляді опуклих, увігнутих або циліндричних лінз.

  • Сапфірові призми

    • Використовується в оптичних вимірювальних приладах та прецизійних системах візуалізації.

u11_ph01
u11_ph02

Аерокосмічна та оборонна промисловість

  • Сапфірові куполи

    • Захистіть інфрачервоні головки самонаведення в ракетах, безпілотних літальних апаратах та літаках.

  • Сапфірові захисні чохли

    • Витримують удари високошвидкісного повітряного потоку та суворі умови навколишнього середовища.

17 років

Упаковка продукту

IMG_0775_副本
_cgi-bin_mmwebwx-bin_webwxgetmsgimg__&MsgID=871015041831747236&skey=@crypt_5be9fd73_3c2da10f381656c71b8a6fcc3900aedc&mmweb_appid=wx_webfilehelper

Про Сінькехуей

Шанхайська компанія Xinkehui New Material Co., Ltd. є однією знайбільший постачальник оптичних та напівпровідникових приладів у Китаї, заснована у 2002 році. XKH була розроблена для забезпечення академічних дослідників пластинами та іншими науковими матеріалами та послугами, пов'язаними з напівпровідниками. Напівпровідникові матеріали є нашим основним бізнесом, наша команда орієнтована на технічні навички, з моменту свого заснування XKH глибоко залучена до досліджень та розробок передових електронних матеріалів, особливо в галузі різних пластин/підкладок.

456789

Партнери

Завдяки своїй чудовій технології напівпровідникових матеріалів, Shanghai Zhimingxin стала надійним партнером провідних світових компаній та відомих академічних установ. Завдяки своїй наполегливості в інноваціях та досконалості, Zhimingxin встановила глибокі партнерські відносини з лідерами галузі, такими як Schott Glass, Corning та Seoul Semiconductor. Ця співпраця не лише покращила технічний рівень нашої продукції, але й сприяла технологічному розвитку в галузях силової електроніки, оптоелектронних приладів та напівпровідникових приладів.

Окрім співпраці з відомими компаніями, Zhimingxin також встановила довгострокові партнерські відносини у сфері досліджень з провідними університетами світу, такими як Гарвардський університет, Університетський коледж Лондона (UCL) та Х'юстонський університет. Завдяки цій співпраці Zhimingxin не лише надає технічну підтримку науково-дослідним проектам в академічних колах, але й бере участь у розробці нових матеріалів та технологічних інновацій, гарантуючи, що ми завжди будемо на передовій напівпровідникової промисловості.

Завдяки тісній співпраці з цими всесвітньо відомими компаніями та академічними установами, Shanghai Zhimingxin продовжує сприяти технологічним інноваціям та розвитку, пропонуючи продукти та рішення світового класу для задоволення зростаючих потреб світового ринку.

未命名的设计
  • Попередній:
  • Далі:

    • Супутні товари

    Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам
    Натисніть Enter для пошуку або ESC для закриття