Пластина HPSI SiCOI 4,6 дюйма, гідрофольне склеювання

Пластина HPSI SiCOI 4,6-дюймовий гідрофольний зв'язок, зображення на фото

Короткий опис:

Високочисті напівізолюючі (HPSI) пластини 4H-SiCOI розроблені з використанням передових технологій з'єднання та стоншування. Пластини виготовляються шляхом склеювання підкладок з карбіду кремнію 4H HPSI з шарами термічного оксиду двома ключовими методами: гідрофільним (прямим) з'єднанням та поверхнево-активованим з'єднанням. Останній метод передбачає використання проміжного модифікованого шару (наприклад, аморфного кремнію, оксиду алюмінію або оксиду титану) для покращення якості з'єднання та зменшення кількості бульбашок, що особливо підходить для оптичних застосувань. Контроль товщини шару карбіду кремнію досягається за допомогою процесів SmartCut на основі іонної імплантації або шліфування та полірування CMP. SmartCut забезпечує високоточну однорідність товщини (50 нм–900 нм з однорідністю ±20 нм), але може спричинити незначне пошкодження кристалів через іонну імплантацію, що впливає на продуктивність оптичного пристрою. Шліфування та полірування CMP запобігають пошкодженню матеріалу та є кращими для товстіших плівок (350 нм–500 мкм) та квантових або PIC-застосунків, хоча з меншою однорідністю товщини (±100 нм). Стандартні 6-дюймові пластини мають шар SiC товщиною 1 мкм ±0,1 мкм на шарі SiO2 товщиною 3 мкм, що знаходиться поверх кремнієвих підкладок товщиною 675 мкм, з винятковою гладкістю поверхні (Rq < 0,2 нм). Ці пластини HPSI SiCOI підходять для виробництва MEMS, PIC, квантових та оптичних пристроїв, маючи відмінну якість матеріалу та гнучкість процесу.

Надіслати нам електронного листа

Особливості

Огляд властивостей SiCOI пластини (карбід кремнію на ізоляторі)

Пластини SiCOI — це напівпровідникова підкладка нового покоління, що поєднує карбід кремнію (SiC) з ізоляційним шаром, часто SiO₂ або сапфіром, для покращення продуктивності в силовій електроніці, радіочастотних приладах та фотоніці. Нижче наведено детальний огляд їхніх властивостей, розділених на ключові розділи:

Нерухомість	Опис
Склад матеріалу	Шар карбіду кремнію (SiC), нанесений на ізолюючу підкладку (зазвичай SiO₂ або сапфір)
Кристалічна структура	Зазвичай політипи SiC 4H або 6H, відомі високою якістю кристалів та однорідністю
Електричні властивості	Високе пробивне електричне поле (~3 МВ/см), широка заборонена зона (~3,26 еВ для 4H-SiC), низький струм витоку
Теплопровідність	Висока теплопровідність (~300 Вт/м·K), що забезпечує ефективне розсіювання тепла
Діелектричний шар	Ізоляційний шар (SiO₂ або сапфір) забезпечує електричну ізоляцію та зменшує паразитну ємність
Механічні властивості	Висока твердість (~9 за шкалою Мооса), чудова механічна міцність та термостабільність
Оздоблення поверхні	Зазвичай надгладкий з низькою щільністю дефектів, підходить для виготовлення пристроїв
Застосування	Силова електроніка, пристрої MEMS, радіочастотні пристрої, датчики, що вимагають високої стійкості до температур і напруги

Пластини SiCOI (карбід кремнію на ізоляторі) являють собою вдосконалену структуру напівпровідникової підкладки, що складається з високоякісного тонкого шару карбіду кремнію (SiC), нанесеного на ізоляційний шар, зазвичай діоксид кремнію (SiO₂) або сапфір. Карбід кремнію – це широкозонний напівпровідник, відомий своєю здатністю витримувати високі напруги та підвищені температури, а також чудовою теплопровідністю та високою механічною твердістю, що робить його ідеальним для високоенергетичних, високочастотних та високотемпературних електронних застосувань.

Ізоляційний шар у пластинах SiCOI забезпечує ефективну електричну ізоляцію, значно зменшуючи паразитну ємність та струми витоку між пристроями, тим самим підвищуючи загальну продуктивність та надійність пристрою. Поверхня пластини ретельно полірована для досягнення надгладкості з мінімальними дефектами, що відповідає суворим вимогам виготовлення мікро- та нанорозмірних пристроїв.

Така структура матеріалу не лише покращує електричні характеристики пристроїв на основі карбіду кремнію, але й значно покращує терморегуляцію та механічну стабільність. Як результат, пластини SiCOI широко використовуються в силовій електроніці, радіочастотних (РЧ) компонентах, датчиках мікроелектромеханічних систем (MEMS) та високотемпературній електроніці. Загалом, пластини SiCOI поєднують виняткові фізичні властивості карбіду кремнію з перевагами електроізоляції ізоляторного шару, забезпечуючи ідеальну основу для наступного покоління високопродуктивних напівпровідникових приладів.

Застосування пластин SiCOI

Пристрої силової електроніки

Високовольтні та потужні ключі, MOSFET та діоди

Скористайтеся перевагами широкої забороненої зони SiC, високої пробивної напруги та термостабільності

Зменшення втрат потужності та підвищення ефективності систем перетворення енергії

Радіочастотні (РЧ) компоненти

Високочастотні транзистори та підсилювачі

Низька паразитна ємність завдяки ізоляційному шару покращує радіочастотні характеристики

Підходить для систем зв'язку 5G та радіолокаційних систем

Мікроелектромеханічні системи (MEMS)

Датчики та виконавчі механізми, що працюють у складних умовах

Механічна міцність та хімічна інертність подовжують термін служби пристрою

Включає датчики тиску, акселерометри та гіроскопи

Високотемпературна електроніка

Електроніка для автомобільної, аерокосмічної та промислової галузі

Надійно працюють за підвищених температур, де кремній виходить з ладу

Фотонні пристрої

Інтеграція з оптоелектронними компонентами на ізоляторних підкладках

Забезпечує вбудовану фотоніку з покращеним терморегулюванням

Запитання та відповіді щодо пластин SiCOI

З：Що таке пластина SiCOI

В：Пластина SiCOI розшифровується як пластина з карбіду кремнію на ізоляторі. Це тип напівпровідникової підкладки, де тонкий шар карбіду кремнію (SiC) нанесений на ізоляційний шар, зазвичай діоксид кремнію (SiO₂) або іноді сапфір. Ця структура за концепцією схожа на добре відомі пластини кремнію на ізоляторі (SOI), але замість кремнію використовується SiC.