Епітаксіальний нітрид галію (GaN), вирощений на сапфірових пластинах 4 дюйми 6 дюймів для MEMS

Короткий опис:

Нітрид галію (GaN) на сапфірових пластинах забезпечує неперевершену продуктивність для високочастотних і потужних додатків, що робить його ідеальним матеріалом для радіочастотних (радіочастотних) передніх модулів нового покоління, світлодіодних ламп та інших напівпровідникових пристроїв.GaNЧудові електричні характеристики, включаючи високу ширину забороненої зони, дозволяють йому працювати при вищих пробивних напругах і температурах, ніж традиційні пристрої на основі кремнію. Оскільки GaN все частіше використовується замість кремнію, це сприяє розвитку електроніки, яка потребує легких, потужних і ефективних матеріалів.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Властивості GaN на сапфірових пластинах

●Висока ефективність:Пристрої на основі GaN забезпечують у п’ять разів більше потужності, ніж пристрої на основі кремнію, підвищуючи продуктивність у різноманітних електронних програмах, включаючи підсилення РЧ та оптоелектроніку.
●Широка заборонена смуга:Широка заборонена зона GaN забезпечує високу ефективність при підвищених температурах, що робить його ідеальним для потужних і високочастотних застосувань.
●Стійкість:Здатність GaN справлятися з екстремальними умовами (високі температури та радіація) забезпечує тривалу роботу в суворих умовах.
●Малий розмір:GaN дозволяє виробляти більш компактні та легкі пристрої порівняно з традиційними напівпровідниковими матеріалами, полегшуючи меншу та потужнішу електроніку.

Анотація

Нітрид галію (GaN) стає напівпровідником вибору для розширених застосувань, що вимагають високої потужності та ефективності, таких як інтерфейсні радіочастотні модулі, високошвидкісні системи зв’язку та світлодіодне освітлення. Епітаксійні пластини GaN, вирощені на сапфірових підкладках, пропонують поєднання високої теплопровідності, високої напруги пробою та широкої частотної характеристики, які є ключовими для оптимальної роботи пристроїв бездротового зв’язку, радарів і пристроїв перешкод. Ці пластини доступні як у 4-дюймовому, так і в 6-дюймовому діаметрах, із різною товщиною GaN для задоволення різних технічних вимог. Унікальні властивості GaN роблять його головним кандидатом у майбутнє силової електроніки.

Параметри продукту

Характеристика продукту	Специфікація
Діаметр пластини	50 мм, 100 мм, 50,8 мм
Підкладка	Сапфір
Товщина шару GaN	0,5 мкм - 10 мкм
Тип GaN/легування	N-тип (P-тип доступний за запитом)
Орієнтація кристала GaN	<0001>
Тип полірування	Одностороннє полірування (SSP), Двостороннє полірування (DSP)
Al2O3 Товщина	430 мкм - 650 мкм
TTV (загальна варіація товщини)	≤ 10 мкм
Лук	≤ 10 мкм
Деформація	≤ 10 мкм
Площа поверхні	Корисна площа поверхні > 90%

Питання та відповіді

Q1: Які ключові переваги використання GaN перед традиційними напівпровідниками на основі кремнію?

A1: GaN пропонує кілька суттєвих переваг перед кремнієм, включаючи ширшу заборонену зону, що дозволяє йому справлятися з вищими напругами пробою та ефективно працювати за вищих температур. Це робить GaN ідеальним для потужних і високочастотних застосувань, таких як радіочастотні модулі, підсилювачі потужності та світлодіоди. Здатність GaN працювати з більшою щільністю потужності також дозволяє створювати менші та ефективніші пристрої порівняно з кремнієвими альтернативами.

Питання 2: Чи можна використовувати GaN на сапфірових пластинах у MEMS (мікроелектромеханічних системах)?

A2: Так, GaN на сапфірових пластинах підходить для застосувань MEMS, особливо там, де потрібна висока потужність, температурна стабільність і низький рівень шуму. Довговічність і ефективність матеріалу у високочастотних середовищах роблять його ідеальним для MEMS-пристроїв, які використовуються в системах бездротового зв’язку, зондування та радарах.

Q3: Які потенційні застосування GaN у бездротовому зв’язку?

A3: GaN широко використовується в радіочастотних інтерфейсних модулях для бездротового зв’язку, включаючи інфраструктуру 5G, радарні системи та засоби перешкод. Його висока питома потужність і теплопровідність роблять його ідеальним для потужних високочастотних пристроїв, забезпечуючи кращу продуктивність і менший форм-фактор порівняно з рішеннями на основі кремнію.

Q4: Які терміни виконання та мінімальна кількість замовлення для GaN на сапфірових пластинах?

A4: Терміни виконання та мінімальна кількість замовлення залежать від розміру пластини, товщини GaN та конкретних вимог замовника. Будь ласка, зв’яжіться з нами напряму, щоб отримати детальну інформацію про ціни та наявність відповідно до ваших вимог.

Q5: Чи можу я отримати індивідуальну товщину шару GaN або рівень легування?

A5: Так, ми пропонуємо налаштування товщини GaN і рівнів допування відповідно до конкретних потреб застосування. Будь ласка, повідомте нам свої бажані характеристики, і ми запропонуємо індивідуальне рішення.