Епітаксіальне вирощування нітриду галію (GaN) на сапфірових пластинах 4 дюйми 6 дюймів для MEMS

Короткий опис:

Нітрид галію (GaN) на сапфірових пластинах пропонує неперевершені характеристики для високочастотних та потужних застосувань, що робить його ідеальним матеріалом для радіочастотних (РЧ) інтерфейсних модулів наступного покоління, світлодіодних ламп та інших напівпровідникових пристроїв.GaNЧудові електричні характеристики, включаючи високу ширину забороненої зони, дозволяють йому працювати за вищих напруг пробою та температур, ніж традиційні пристрої на основі кремнію. Оскільки GaN все частіше використовується замість кремнію, це стимулює розвиток електроніки, що вимагає легких, потужних та ефективних матеріалів.

Надіслати нам електронного листа

Особливості

Властивості GaN на сапфірових пластинах

●Висока ефективність:Пристрої на основі GaN забезпечують у п'ять разів більшу потужність, ніж пристрої на основі кремнію, що підвищує продуктивність у різних електронних застосуваннях, включаючи підсилення радіочастотних сигналів та оптоелектроніку.
●Широка заборонена зона:Широка заборонена зона GaN забезпечує високу ефективність за підвищених температур, що робить його ідеальним для застосувань з високою потужністю та високою частотою.
●Міцність:Здатність GaN витримувати екстремальні умови (високі температури та радіацію) забезпечує тривалу роботу в суворих умовах.
●Маленький розмір:GaN дозволяє виробляти компактніші та легші пристрої порівняно з традиційними напівпровідниковими матеріалами, що сприяє створенню меншої та потужнішої електроніки.

Анотація

Нітрид галію (GaN) стає напівпровідником вибору для передових застосувань, що вимагають високої потужності та ефективності, таких як радіочастотні інтерфейсні модулі, високошвидкісні системи зв'язку та світлодіодне освітлення. Епітаксіальні пластини GaN, вирощені на сапфірових підкладках, пропонують поєднання високої теплопровідності, високої пробивної напруги та широкого діапазону частот, що є ключовим для оптимальної продуктивності в пристроях бездротового зв'язку, радарах та глушилках. Ці пластини доступні в діаметрі 4 та 6 дюймів, з різною товщиною GaN для задоволення різних технічних вимог. Унікальні властивості GaN роблять його головним кандидатом на майбутнє силової електроніки.

Параметри продукту

Характеристика продукту	Специфікація
Діаметр пластини	50 мм, 100 мм, 50,8 мм
Субстрат	Сапфір
Товщина шару GaN	0,5 мкм - 10 мкм
Тип/легування GaN	N-тип (P-тип доступний на запит)
Орієнтація кристалів GaN	<0001>
Тип полірування	Одностороннє полірування (SSP), двостороннє полірування (DSP)
Товщина Al2O3	430 мкм - 650 мкм
TTV (Загальна варіація товщини)	≤ 10 мкм
Лук	≤ 10 мкм
Деформація	≤ 10 мкм
Площа поверхні	Корисна площа поверхні > 90%

Запитання та відповіді

Q1: Які ключові переваги використання GaN над традиційними напівпровідниками на основі кремнію?

A1GaN пропонує кілька суттєвих переваг над кремнієм, включаючи ширшу заборонену зону, що дозволяє йому витримувати вищі напруги пробою та ефективно працювати за вищих температур. Це робить GaN ідеальним для потужних високочастотних застосувань, таких як радіочастотні модулі, підсилювачі потужності та світлодіоди. Здатність GaN витримувати вищу щільність потужності також дозволяє створювати менші та ефективніші пристрої порівняно з кремнієвими альтернативами.

Q2: Чи можна використовувати GaN на сапфірових пластинах у MEMS (мікроелектромеханічних системах)?

A2Так, GaN на сапфірових пластинах підходить для застосування в MEMS, особливо там, де потрібна висока потужність, температурна стабільність і низький рівень шуму. Довговічність і ефективність матеріалу у високочастотних середовищах роблять його ідеальним для пристроїв MEMS, що використовуються в системах бездротового зв'язку, сенсорних системах і радіолокаційних системах.

Q3: Які потенційні застосування GaN у бездротовому зв'язку?

A3GaN широко використовується в радіочастотних інтерфейсних модулях для бездротового зв'язку, включаючи інфраструктуру 5G, радіолокаційні системи та глушилки. Його висока щільність потужності та теплопровідність роблять його ідеальним для потужних високочастотних пристроїв, забезпечуючи кращу продуктивність та менші форм-фактори порівняно з кремнієвими рішеннями.

Q4: Які терміни виконання та мінімальні обсяги замовлення для GaN на сапфірових пластинах?

A4Терміни виконання та мінімальні обсяги замовлення залежать від розміру пластини, товщини GaN та конкретних вимог замовника. Будь ласка, зв'яжіться з нами безпосередньо для отримання детальної інформації про ціни та наявність відповідно до ваших вимог.

Q5: Чи можу я отримати індивідуальну товщину шару GaN або рівні легування?

A5Так, ми пропонуємо налаштування товщини GaN та рівнів легування для задоволення потреб конкретного застосування. Будь ласка, повідомте нам ваші бажані характеристики, і ми запропонуємо індивідуальне рішення.