GaAs лазерна епітаксіальна пластина 4 дюйми 6 дюймів VCSEL з вертикальною порожниною, емісійний лазер, довжина хвилі 940 нм, один спай

GaAs лазерна епітаксіальна пластина 4 дюйми 6 дюймів VCSEL з вертикальною поверхнею емісійного лазера, довжина хвилі 940 нм, один спай. Рекомендоване зображення

Короткий опис:

Конструкція замовника Лазерні матриці Gigabit Ethernet для високої рівномірності 6-дюймових пластин 850/940 нм центральна оптична довжина хвилі обмежена оксидом або імплантована протонами цифрова лінія передачі даних VCSEL, електричні та оптичні характеристики лазерної миші, низька чутливість до температури. VCSEL-940 Single Junction — це поверхнево-випромінювальний лазер з вертикальним резонатором (VCSEL) із довжиною хвилі випромінювання, як правило, близько 940 нанометрів. Такі лазери зазвичай складаються з однієї квантової ями та здатні забезпечувати ефективне випромінювання світла. Довжина хвилі 940 нанометрів робить його в інфрачервоному спектрі придатним для різноманітних застосувань. Порівняно з іншими типами лазерів VCsels мають більш високу ефективність електрооптичного перетворення. Пакет VCSEL відносно невеликий і його легко інтегрувати. Широке застосування VCSEL-940 зробило його важливу роль у сучасній техніці.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Основні характеристики лазерного епітаксійного листа GaAs включають

1. Структура з одним переходом: цей лазер зазвичай складається з однієї квантової ями, яка може забезпечити ефективне випромінювання світла.
2. Довжина хвилі: довжина хвилі 940 нм робить його в діапазоні інфрачервоного спектру, придатним для різноманітних застосувань.
3. Висока ефективність: порівняно з іншими типами лазерів, VCSEL має високу електрооптичну ефективність перетворення.
4. Компактність: Пакет VCSEL відносно малий і його легко інтегрувати.

5. Низький пороговий струм і висока ефективність: Лазери з прихованою гетероструктурою демонструють надзвичайно низьку порогову густину струму генерації (наприклад, 4 мА/см²) і високу зовнішню диференціальну квантову ефективність (наприклад, 36%) з лінійною вихідною потужністю понад 15 мВт.
6. Стабільність хвилеводного режиму: захований гетероструктурний лазер має перевагу стабільності хвилеводного режиму завдяки своєму механізму хвилеводу з керованим показником заломлення та вузькій ширині активної смуги (близько 2 мкм).
7. Чудова ефективність фотоелектричного перетворення: шляхом оптимізації процесу епітаксіального зростання можна отримати високу внутрішню квантову ефективність і ефективність фотоелектричного перетворення, щоб зменшити внутрішні втрати.
8. Висока надійність і термін служби: високоякісна технологія епітаксійного росту може підготувати епітаксійні листи з гарним зовнішнім виглядом поверхні та низькою щільністю дефектів, покращуючи надійність продукту та термін служби.
9. Підходить для різноманітних застосувань: епітаксіальний лист лазерного діода на основі GAAS широко використовується в волоконно-оптичних комунікаціях, промислових застосуваннях, інфрачервоних і фотодетекторах та інших областях.

Основні способи застосування GaAs лазерного епітаксіального листа включають

1. Оптичний зв’язок і передача даних: епітаксіальні пластини GaAs широко використовуються в галузі оптичного зв’язку, особливо у високошвидкісних системах оптичного зв’язку, для виробництва оптоелектронних пристроїв, таких як лазери та детектори.

2. Промислове застосування. Лазерні епітаксіальні листи GaAs також мають важливе застосування в промислових застосуваннях, таких як лазерна обробка, вимірювання та зондування.

3. Побутова електроніка: у споживчій електроніці епітаксіальні пластини GaAs використовуються для виробництва VCsels (лазерів з вертикальним резонатором поверхневого випромінювання), які широко використовуються в смартфонах та іншій побутовій електроніці.

4. Застосування радіочастот: матеріали GaAs мають значні переваги в області радіочастот і використовуються для виробництва високоефективних радіочастотних пристроїв.

5. Лазери на квантових точках. Лазери на основі квантових точок на основі GAAS широко використовуються в галузі зв’язку, медицині та військових, особливо в оптичному діапазоні зв’язку 1,31 мкм.

6. Пасивний перемикач добротності: поглинач GaAs використовується для твердотільних лазерів з діодним накачуванням і пасивним перемикачем добротності, який підходить для мікрообробки, вимірювання дальності та мікрохірургії.

Ці програми демонструють потенціал GaAs лазерних епітаксіальних пластин у широкому діапазоні високотехнологічних застосувань.

XKH пропонує епітаксіальні пластини GaAs з різною структурою та товщиною відповідно до вимог замовника, що охоплює широкий спектр застосувань, таких як VCSEL/HCSEL, WLAN, базові станції 4G/5G тощо. Продукція XKH виготовляється з використанням передового обладнання MOCVD для забезпечення високої продуктивності та надійність. Що стосується логістики, ми маємо широкий спектр міжнародних каналів доставки, можемо гнучко обробляти кількість замовлень і надавати додаткові послуги, такі як проріджування, сегментація тощо. Ефективні процеси доставки забезпечують своєчасну доставку та відповідають вимогам клієнтів якість і терміни доставки. Після прибуття клієнти можуть отримати комплексну технічну підтримку та післяпродажне обслуговування, щоб забезпечити безперебійне введення продукту в експлуатацію.