Епітаксіальна пластина GaAs лазера з вертикальним резонатором, 4 дюйми та 6 дюймів, VCSEL, поверхневе випромінювання лазера, довжина хвилі 940 нм, один перехід

Епітаксіальна пластина GaAs лазера з вертикальним резонатором 4 дюйми та 6 дюймів, випромінювання лазера на поверхні VCSEL, довжина хвилі 940 нм, один перехід. Зображення.

Короткий опис:

Лазерні решітки Gigabit Ethernet, розроблені за індивідуальними потребами замовника, для високої однорідності 6-дюймових пластин, центральної оптичної довжини хвилі 850/940 нм, обмеженої оксидною лінією або імплантованої протонами, цифрового каналу зв'язку VCSEL, електричних та оптичних характеристик лазерної миші, низької чутливості до температури. VCSEL-940 Single Junction - це лазер з вертикальним резонатором, що випромінює поверхню (VCSEL), з довжиною хвилі випромінювання зазвичай близько 940 нанометрів. Такі лазери зазвичай складаються з однієї квантової ями та здатні забезпечувати ефективне випромінювання світла. Довжина хвилі 940 нанометрів робить його в інфрачервоному спектрі придатним для різноманітних застосувань. Порівняно з іншими типами лазерів, VCSEL мають вищу ефективність електрооптичного перетворення. Корпус VCSEL відносно невеликий і простий в інтеграції. Широке застосування VCSEL-940 зробило його важливим для сучасних технологій.

Надіслати нам електронного листа

Деталі продукту

Теги продукту

Основні характеристики епітаксіального листа GaAs для лазера включають

1. Одноперехідна структура: цей лазер зазвичай складається з однієї квантової ями, яка може забезпечити ефективне випромінювання світла.
2. Довжина хвилі: Довжина хвилі 940 нм робить його інфрачервоним спектром придатним для різноманітних застосувань.
3. Висока ефективність: Порівняно з іншими типами лазерів, VCSEL має високу ефективність електрооптичного перетворення.
4. Компактність: Корпус VCSEL відносно невеликий та його легко інтегрувати.

5. Низький пороговий струм та висока ефективність: Лазери на основі заглиблених гетероструктур демонструють надзвичайно низьку щільність порогового струму генерації (наприклад, 4 мА/см²) та високу зовнішню диференціальну квантову ефективність (наприклад, 36%), з лінійною вихідною потужністю понад 15 мВт.
6. Стабільність хвилеводної моди: Лазер із заглибленою гетероструктурою має перевагу стабільності хвилеводної моди завдяки механізму хвилеводу з керуванням показником заломлення та вузькій ширині активної смужки (близько 2 мкм).
7. Відмінна ефективність фотоелектричного перетворення: оптимізуючи процес епітаксіального росту, можна досягти високої внутрішньої квантової ефективності та ефективності фотоелектричного перетворення для зменшення внутрішніх втрат.
8. Висока надійність та термін служби: високоякісна технологія епітаксіального вирощування дозволяє виготовляти епітаксіальні листи з гарним зовнішнім виглядом поверхні та низькою щільністю дефектів, що підвищує надійність та термін служби продукту.
9. Придатний для різноманітних застосувань: епітаксіальний лист лазерних діодів на основі GAAS широко використовується в оптичному волоконному зв'язку, промисловому застосуванні, інфрачервоних та фотодетекторах та інших галузях.

Основні способи застосування епітаксіального листа GaAs лазера включають

1. Оптичний зв'язок та передача даних: епітаксіальні пластини GaAs широко використовуються в галузі оптичного зв'язку, особливо у високошвидкісних системах оптичного зв'язку, для виготовлення оптоелектронних пристроїв, таких як лазери та детектори.

2. Промислове застосування: Лазерні епітаксіальні листи GaAs також мають важливе застосування в промислових застосуваннях, таких як лазерна обробка, вимірювання та датчики.

3. Побутова електроніка: У побутовій електроніці епітаксіальні пластини GaAs використовуються для виробництва VCsel (лазерів з вертикальним резонатором, що випромінюють поверхню), які широко використовуються в смартфонах та іншій побутовій електроніці.

4. Застосування в радіочастотних мережах: матеріали GaAs мають значні переваги в радіочастотній галузі та використовуються для виготовлення високопродуктивних радіочастотних пристроїв.

5. Квантові точкові лазери: Квантові точкові лазери на основі GAAS широко використовуються в галузі зв'язку, медицини та військової справи, особливо в оптичному діапазоні зв'язку 1,31 мкм.

6. Пасивний Q-перемикач: Поглинач GaAs використовується для твердотільних лазерів з діодним накачуванням та пасивним Q-перемикачем, що підходить для мікрообробки, вимірювання довжини та мікрохірургії.

Ці застосування демонструють потенціал лазерних епітаксіальних пластин GaAs у широкому спектрі високотехнологічних застосувань.

XKH пропонує епітаксіальні пластини GaAs з різною структурою та товщиною, адаптовані до вимог замовника, охоплюючи широкий спектр застосувань, таких як VCSEL/HCSEL, WLAN, базові станції 4G/5G тощо. Продукція XKH виготовляється з використанням передового обладнання MOCVD для забезпечення високої продуктивності та надійності. Що стосується логістики, ми маємо широкий спектр міжнародних каналів постачання, можемо гнучко обробляти кількість замовлень та надавати додаткові послуги, такі як проріджування, сегментація тощо. Ефективні процеси доставки забезпечують своєчасну доставку та відповідають вимогам клієнтів щодо якості та термінів доставки. Після прибуття клієнти можуть отримати комплексну технічну підтримку та післяпродажне обслуговування, щоб забезпечити безперебійне введення продукту в експлуатацію.