8-дюймова пластина SiC виробничого класу, підкладка 4H-N SiC

Короткий опис:

8-дюймові SiC-підкладки використовуються у потужних електронних пристроях, таких як потужні MOSFET (польові транзистори на основі металоксиду та напівпровідника), діоди Шотткі та інші потужні напівпровідникові прилади.


Деталі продукту

Теги продукту

У наступній таблиці наведено характеристики наших 8-дюймових SiC-пластин:

Технічні характеристики 8-дюймового N-типу SiC DSP

Номер Елемент Одиниця Виробництво Дослідження Манекен
1: параметри
1.1 політип -- 4H 4H 4H
1.2 орієнтація поверхні ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Електричний параметр
2.1 легуюча речовина -- Азот n-типу Азот n-типу Азот n-типу
2.2 питомий опір Ом·см 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Механічний параметр
3.1 діаметр mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 товщина мкм 500±25 500±25 500±25
3.3 Орієнтація виїмки ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Глибина виїмки mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 Загалом за весь період мкм ≤5 (10 мм * 10 мм) ≤5 (10 мм * 10 мм) ≤10 (10 мм * 10 мм)
3.6 ТТВ мкм ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Лук мкм -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Деформація мкм ≤30 ≤50 ≤70
3.9 АСМ nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Структура
4.1 щільність мікротруб шт./см2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 вміст металу атомів/см2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 ТСД шт./см2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 БЛД шт./см2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 ТЕД шт./см2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Якість передньої частини
5.1 передня частина -- Si Si Si
5.2 обробка поверхні -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 частинка ea/вафля ≤100 (розмір ≥0,3 мкм) NA NA
5.4 подряпина ea/вафля ≤5, Загальна довжина ≤200 мм NA NA
5.5 Край
відколи/вм'ятини/тріщини/плями/забруднення
-- Жоден Жоден NA
5.6 Політипні області -- Жоден Площа ≤10% Площа ≤30%
5.7 передня розмітка -- Жоден Жоден Жоден
6: Якість спинки
6.1 задня обробка -- С-подібний МП С-подібний МП С-подібний МП
6.2 подряпина mm NA NA NA
6.3 Дефекти спини по краю
відколи/відступи
-- Жоден Жоден NA
6.4 Шорсткість спини nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Зворотне маркування -- Виїмка Виїмка Виїмка
7:край
7.1 край -- Фаска Фаска Фаска
8: Пакет
8.1 упаковка -- Епі-реагувати з вакуумом
упаковка
Епі-реагувати з вакуумом
упаковка
Епі-реагувати з вакуумом
упаковка
8.2 упаковка -- Багатопластинний
упаковка касет
Багатопластинний
упаковка касет
Багатопластинний
упаковка касет

Детальна діаграма

АСД (1)
АСД (2)
АСД (3)

  • Попередній:
  • Далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам