8-дюймовий 200-міліметровий 4H-N SiC пластинчастий провідний манекен дослідницького класу

Завдяки своїм унікальним фізичним та електронним властивостям 200-мм пластинчастий напівпровідниковий матеріал SiC використовується для створення високопродуктивних, високотемпературних, радіаційно-стійких і високочастотних електронних пристроїв. Ціна на 8-дюймову підкладку SiC поступово знижується, оскільки технологія стає більш досконалою та попит зростає. Останні технологічні розробки призвели до масштабного виробництва 200-мм пластин SiC. Основні переваги пластинчастих напівпровідникових матеріалів SiC в порівнянні з пластинами Si і GaAs: Напруженість електричного поля 4H-SiC при лавинному пробої більш ніж на порядок перевищує відповідні значення для Si і GaAs. Це призводить до значного зниження питомого опору Рон у відкритому стані. Низький питомий опір у відкритому стані в поєднанні з високою щільністю струму та теплопровідністю дозволяє використовувати дуже маленькі кристали для силових пристроїв. Висока теплопровідність SiC знижує термічний опір мікросхеми. Електронні властивості пристроїв на основі пластин SiC дуже стабільні в часі та температурі, що забезпечує високу надійність виробів. Карбід кремнію надзвичайно стійкий до жорсткого випромінювання, що не погіршує електронні властивості чіпа. Висока гранична робоча температура кристала (більше 6000С) дозволяє створювати високонадійні прилади для важких умов експлуатації та спеціального застосування. На даний момент ми можемо стабільно та безперервно постачати невеликі партії пластин 200mmSiC і мати певний запас на складі.