8-дюймовий 200-міліметровий 4H-N SiC пластинчастий провідний манекен дослідницького класу

Завдяки своїм унікальним фізичним та електронним властивостям, напівпровідниковий матеріал на основі 200-міліметрових пластин SiC використовується для створення високопродуктивних, високотемпературних, радіаційно-стійких та високочастотних електронних пристроїв. Ціна на 8-дюймову підкладку SiC поступово знижується, оскільки технології стають більш просунутими, а попит зростає. Останні технологічні розробки призвели до виробництва 200-міліметрових пластин SiC у серійних масштабах. Основні переваги напівпровідникових матеріалів на основі пластин SiC у порівнянні з пластинами Si та GaAs: Напруженість електричного поля 4H-SiC під час лавинного пробою більш ніж на порядок вища, ніж відповідні значення для Si та GaAs. Це призводить до значного зниження питомого опору увімкненого стану Ron. Низький питомий опір увімкненого стану в поєднанні з високою щільністю струму та теплопровідністю дозволяє використовувати дуже малий кристал для силових пристроїв. Висока теплопровідність SiC знижує тепловий опір чіпа. Електронні властивості пристроїв на основі пластин SiC дуже стабільні з часом та температурно, що забезпечує високу надійність виробів. Карбід кремнію надзвичайно стійкий до жорсткого випромінювання, що не погіршує електронні властивості чіпа. Висока гранична робоча температура кристала (більше 6000°C) дозволяє створювати високонадійні пристрої для важких умов експлуатації та спеціальних застосувань. Наразі ми можемо стабільно та безперервно постачати невеликі партії пластин SiC розміром 200 мм і мати певний запас на складі.