Товщина композитної підкладки LN-на-Si 6-8 дюймів, матеріали Si/SiC/сапфір, 0,3-50 мкм

Композитна підкладка LN-на-Si 6-8 дюймів Товщина 0,3-50 мкм з матеріалів Si/SiC/Сапфір Зображення

Короткий опис:

Композитна підкладка LN-на-Si розміром від 6 до 8 дюймів – це високопродуктивний матеріал, який об'єднує тонкі плівки монокристалічного ніобату літію (LN) з кремнієвими (Si) підкладками товщиною від 0,3 мкм до 50 мкм. Вона розроблена для виготовлення передових напівпровідникових та оптоелектронних пристроїв. Використовуючи передові методи склеювання або епітаксіального вирощування, ця підкладка забезпечує високу кристалічну якість тонкої плівки LN, водночас використовуючи великий розмір пластини (від 6 до 8 дюймів) кремнієвої підкладки для підвищення ефективності виробництва та економічної ефективності.
Порівняно зі звичайними об'ємними матеріалами для LN, композитна підкладка LN-на-Si розміром від 6 до 8 дюймів пропонує чудову термічну відповідність та механічну стабільність, що робить її придатною для великомасштабної обробки на рівні пластин. Крім того, альтернативні базові матеріали, такі як SiC або сапфір, можуть бути обрані для задоволення конкретних вимог застосування, включаючи високочастотні радіочастотні пристрої, інтегровану фотоніку та датчики MEMS.

Надіслати нам електронного листа

Деталі продукту

Теги продукту

Технічні параметри

0,3-50 мкм LN/LT на ізоляторах
Верхній шар
Діаметр	6-8 дюймів
Орієнтація	X, Z, Y-42 тощо.
Матеріали	ЛТ, ЛН
Товщина	0,3-50 мкм
Субстрат (на замовлення)
Матеріал	Si, SiC, сапфір, шпінель, кварц

Основні характеристики

Композитна підкладка LN-on-Si розміром від 6 до 8 дюймів вирізняється унікальними властивостями матеріалу та налаштованими параметрами, що забезпечує широке застосування в напівпровідниковій та оптоелектронній промисловості:

1. Сумісність з великими пластинами: Розмір пластини від 6 до 8 дюймів забезпечує безперешкодну інтеграцію з існуючими лініями виробництва напівпровідників (наприклад, CMOS-процесами), знижуючи виробничі витрати та забезпечуючи масове виробництво.

2. Висока кристалічна якість: Оптимізовані епітаксіальні або склеювальні методи забезпечують низьку щільність дефектів у тонкій плівці LN, що робить її ідеальною для високопродуктивних оптичних модуляторів, фільтрів поверхневих акустичних хвиль (SAW) та інших прецизійних пристроїв.

3. Регульована товщина (0,3–50 мкм): Ультратонкі шари LN (<1 мкм) підходять для інтегрованих фотонних чіпів, тоді як товстіші шари (10–50 мкм) підходять для потужних радіочастотних пристроїв або п'єзоелектричних датчиків.

4. Різні варіанти підкладок: Окрім Si, як базові матеріали можна обрати SiC (висока теплопровідність) або сапфір (висока ізоляція) для задоволення потреб високочастотних, високотемпературних або потужних застосувань.

5. Термічна та механічна стабільність: кремнієва підкладка забезпечує надійну механічну підтримку, мінімізуючи деформацію або розтріскування під час обробки та покращуючи вихід пристрою.

Ці характеристики позиціонують композитну підкладку LN-on-Si розміром від 6 до 8 дюймів як бажаний матеріал для передових технологій, таких як зв'язок 5G, LiDAR та квантова оптика.

Основні застосування

Композитна підкладка LN-on-Si розміром від 6 до 8 дюймів широко використовується у високотехнологічних галузях промисловості завдяки своїм винятковим електрооптичним, п'єзоелектричним та акустичним властивостям:

1. Оптичний зв'язок та інтегрована фотоніка: Забезпечує високошвидкісні електрооптичні модулятори, хвилеводи та фотонні інтегральні схеми (ФІС), задовольняючи вимоги до пропускної здатності центрів обробки даних та волоконно-оптичних мереж.

Радіочастотні пристрої 2,5 ГГц/6 ГГц: Високий п'єзоелектричний коефіцієнт LN робить його ідеальним для фільтрів поверхневих акустичних хвиль (SAW) та об'ємних акустичних хвиль (BAW), покращуючи обробку сигналів у базових станціях 5 ГГц та мобільних пристроях.

3. MEMS та сенсори: П'єзоелектричний ефект LN-on-Si сприяє створенню високочутливих акселерометрів, біосенсорів та ультразвукових перетворювачів для медичного та промислового застосування.

4. Квантові технології: Як нелінійний оптичний матеріал, тонкі плівки LN використовуються в квантових джерелах світла (наприклад, заплутані пари фотонів) та інтегрованих квантових чіпах.

5. Лазери та нелінійна оптика: Ультратонкі шари LN дозволяють створювати ефективні пристрої для генерації другої гармоніки (SHG) та оптичних параметричних коливань (OPO) для лазерної обробки та спектроскопічного аналізу.

Стандартизована композитна підкладка LN-on-Si розміром від 6 до 8 дюймів дозволяє виготовляти ці пристрої на великомасштабних фабриках пластин, що значно знижує виробничі витрати.

Налаштування та послуги

Ми надаємо комплексну технічну підтримку та послуги з налаштування композитної підкладки LN-on-Si розміром від 6 до 8 дюймів, щоб задовольнити різноманітні потреби досліджень, розробок та виробництва:

1. Виготовлення на замовлення: товщина плівки LN (0,3–50 мкм), орієнтація кристалів (X-розріз/Y-розріз) та матеріал підкладки (Si/SiC/сапфір) можуть бути налаштовані для оптимізації продуктивності пристрою.

2. Обробка на рівні пластин: оптові поставки 6-дюймових та 8-дюймових пластин, включаючи такі послуги, як нарізка, полірування та покриття, що забезпечує готовність підкладок до інтеграції пристроїв.

3. Технічна консультація та випробування: характеристика матеріалів (наприклад, рентгенівська дифракція, АСМ), електрооптичні випробування характеристик та підтримка моделювання пристроїв для пришвидшення перевірки конструкції.

Наша місія полягає в тому, щоб створити композитну підкладку LN-on-Si розміром від 6 до 8 дюймів як рішення для основного матеріалу оптоелектронних та напівпровідникових застосувань, пропонуючи комплексну підтримку від досліджень і розробок до масового виробництва.

Висновок

Композитна підкладка LN-on-Si розміром від 6 до 8 дюймів, завдяки великому розміру пластини, чудовій якості матеріалу та універсальності, є рушійною силою розвитку оптичного зв'язку, радіочастотних технологій 5G та квантових технологій. Ми постачаємо надійні підкладки та додаткові послуги для впровадження технологічних інновацій, незалежно від того, чи це масове виробництво, чи індивідуальні рішення.