3-дюймова підкладка SiC, діаметр виробництва 76,2 мм, 4H-N

Короткий опис:

3-дюймова пластина з карбіду кремнію 4H-N — це вдосконалений напівпровідниковий матеріал, спеціально розроблений для високопродуктивних електронних та оптоелектронних застосувань. Відома своїми винятковими фізичними та електричними властивостями, ця пластина є одним з найважливіших матеріалів у галузі силової електроніки.


Особливості

Основні характеристики 3-дюймових карбід-кремнієвих MOSFET-пластин полягають у наступному:

Карбід кремнію (SiC) – це напівпровідниковий матеріал із широкою забороненою зоною, що характеризується високою теплопровідністю, високою рухливістю електронів та високою напруженістю електричного поля пробою. Ці властивості роблять пластини SiC видатними для застосування у високоенергетичних, високочастотних та високотемпературних системах. Зокрема, у політипі 4H-SiC його кристалічна структура забезпечує чудові електронні характеристики, що робить його матеріалом вибору для силової електроніки.

3-дюймова пластина з карбіду кремнію 4H-N — це пластина, легована азотом, з провідністю N-типу. Цей метод легування забезпечує пластині вищу концентрацію електронів, тим самим покращуючи провідні характеристики пристрою. Розмір пластини, 3 дюйми (діаметр 76,2 мм), є поширеним розміром у напівпровідниковій промисловості та підходить для різних виробничих процесів.

3-дюймова пластина з карбіду кремнію 4H-N виготовляється методом фізичного пароперенесення (PVT). Цей процес включає перетворення порошку SiC на монокристали за високих температур, що забезпечує якість кристалів та однорідність пластини. Крім того, товщина пластини зазвичай становить близько 0,35 мм, а її поверхня піддається двосторонньому поліруванню для досягнення надзвичайно високого рівня площинності та гладкості, що є вирішальним для подальших процесів виробництва напівпровідників.

Діапазон застосування 3-дюймової пластини з карбіду кремнію 4H-N широкий і включає потужні електронні пристрої, датчики високих температур, радіочастотні пристрої та оптоелектронні пристрої. Її чудова продуктивність та надійність дозволяють цим пристроям стабільно працювати в екстремальних умовах, задовольняючи попит на високопродуктивні напівпровідникові матеріали в сучасній електронній промисловості.

Ми можемо надати підкладку SiC 4H-N 3 дюйми, різні марки пластин для підкладок. Ми також можемо організувати індивідуальне замовлення відповідно до ваших потреб. Ласкаво просимо до нас!

Детальна діаграма

WeChatIMG189
WeChatIMG192

  • Попередній:
  • Далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам