3-дюймова високочиста напівізолююча (HPSI) пластина SiC 350 мкм, макетний клас, вищий клас
Застосування
Пластини HPSI SiC відіграють ключову роль у створенні силових пристроїв наступного покоління, які використовуються в різноманітних високопродуктивних застосуваннях:
Системи перетворення енергії: Пластини SiC служать основним матеріалом для силових пристроїв, таких як потужні MOSFET, діоди та IGBT, які мають вирішальне значення для ефективного перетворення енергії в електричних колах. Ці компоненти використовуються у високоефективних джерелах живлення, приводах двигунів та промислових інверторах.
Електромобілі (EV):Зростаючий попит на електромобілі вимагає використання більш ефективної силової електроніки, і SiC-пластини знаходяться на передовій цієї трансформації. У силових агрегатах електромобілів ці пластини забезпечують високу ефективність і швидкі можливості перемикання, що сприяє швидшому заряджанню, збільшенню запасу ходу та покращенню загальної продуктивності автомобіля.
Відновлювана енергія:У системах відновлюваної енергії, таких як сонячна та вітрова енергетика, пластини SiC використовуються в інверторах та перетворювачах, що забезпечують ефективніше захоплення та розподіл енергії. Висока теплопровідність та чудова пробивна напруга SiC забезпечують надійну роботу цих систем навіть в екстремальних умовах навколишнього середовища.
Промислова автоматизація та робототехніка:Високопродуктивна силова електроніка в системах промислової автоматизації та робототехніки вимагає пристроїв, здатних швидко перемикатися, обробляти великі потужні навантаження та працювати в умовах високих навантажень. Напівпровідники на основі SiC відповідають цим вимогам, забезпечуючи вищу ефективність та надійність навіть у складних умовах експлуатації.
Телекомунікаційні системи:У телекомунікаційній інфраструктурі, де висока надійність та ефективне перетворення енергії є критично важливими, SiC-пластини використовуються в блоках живлення та DC-DC-перетворювачах. SiC-пристрої допомагають зменшити споживання енергії та підвищити продуктивність систем у центрах обробки даних та комунікаційних мережах.
Забезпечуючи надійну основу для потужних застосувань, пластина HPSI SiC дозволяє розробляти енергоефективні пристрої, допомагаючи промисловості переходити до більш екологічних та сталих рішень.
Властивості
| операція | Виробничий сорт | Дослідницький рівень | Фіктивний клас |
| Діаметр | 75,0 мм ± 0,5 мм | 75,0 мм ± 0,5 мм | 75,0 мм ± 0,5 мм |
| Товщина | 350 мкм ± 25 мкм | 350 мкм ± 25 мкм | 350 мкм ± 25 мкм |
| Орієнтація пластини | На осі: <0001> ± 0,5° | На осі: <0001> ± 2,0° | На осі: <0001> ± 2,0° |
| Щільність мікротруб для 95% пластин (MPD) | ≤ 1 см⁻² | ≤ 5 см⁻² | ≤ 15 см⁻² |
| Питомий електричний опір | ≥ 1E7 Ом·см | ≥ 1E6 Ом·см | ≥ 1E5 Ом·см |
| Домішка | Без допінгу | Без допінгу | Без допінгу |
| Основна орієнтація на плоску поверхню | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Довжина основної плоскої поверхні | 32,5 мм ± 3,0 мм | 32,5 мм ± 3,0 мм | 32,5 мм ± 3,0 мм |
| Вторинна плоска довжина | 18,0 мм ± 2,0 мм | 18,0 мм ± 2,0 мм | 18,0 мм ± 2,0 мм |
| Вторинна плоска орієнтація | Силіконова поверхня вгору: 90° за годинниковою стрілкою від основної площини ± 5,0° | Силіконова поверхня вгору: 90° за годинниковою стрілкою від основної площини ± 5,0° | Силіконова поверхня вгору: 90° за годинниковою стрілкою від основної площини ± 5,0° |
| Виключення краю | 3 мм | 3 мм | 3 мм |
| LTV/TTV/Луць/Деформація | 3 мкм / 10 мкм / ±30 мкм / 40 мкм | 3 мкм / 10 мкм / ±30 мкм / 40 мкм | 5 мкм / 15 мкм / ±40 мкм / 45 мкм |
| Шорсткість поверхні | C-подібна поверхня: полірована, Si-подібна поверхня: CMP | C-подібна поверхня: полірована, Si-подібна поверхня: CMP | C-подібна поверхня: полірована, Si-подібна поверхня: CMP |
| Тріщини (перевірені високоінтенсивним світлом) | Жоден | Жоден | Жоден |
| Шестигранні пластини (перевірені світлом високої інтенсивності) | Жоден | Жоден | Сукупна площа 10% |
| Політипні ділянки (оглядаються високоінтенсивним світлом) | Сукупна площа 5% | Сукупна площа 5% | Сукупна площа 10% |
| Подряпини (перевірені високоінтенсивним світлом) | ≤ 5 подряпин, сукупна довжина ≤ 150 мм | ≤ 10 подряпин, сукупна довжина ≤ 200 мм | ≤ 10 подряпин, сукупна довжина ≤ 200 мм |
| Відколювання країв | Не допускається ширина та глибина ≥ 0,5 мм | 2 дозволено, ≤ 1 мм ширини та глибини | 5 дозволено, ≤ 5 мм ширина та глибина |
| Забруднення поверхні (перевірено за допомогою високоінтенсивного світла) | Жоден | Жоден | Жоден |
Ключові переваги
Чудові теплові характеристики: Висока теплопровідність SiC забезпечує ефективне розсіювання тепла в силових пристроях, дозволяючи їм працювати на вищих рівнях потужності та частотах без перегріву. Це призводить до менших, ефективніших систем та тривалішого терміну служби.
Висока напруга пробою: Завдяки ширшій забороненій зоні порівняно з кремнієм, пластини SiC підтримують високовольтні застосування, що робить їх ідеальними для силових електронних компонентів, які повинні витримувати високу напругу пробою, наприклад, в електромобілях, мережевих енергосистемах та системах відновлюваної енергії.
Зменшення втрат потужності: Низький опір увімкнення та висока швидкість перемикання SiC-приладів призводять до зменшення втрат енергії під час роботи. Це не тільки підвищує ефективність, але й збільшує загальну економію енергії в системах, в яких вони використовуються.
Підвищена надійність у суворих умовах: Міцні властивості SiC дозволяють йому працювати в екстремальних умовах, таких як високі температури (до 600°C), висока напруга та високі частоти. Це робить пластини SiC придатними для вимогливих промислових, автомобільних та енергетичних застосувань.
Енергоефективність: Пристрої на основі карбіду кремнію пропонують вищу щільність потужності, ніж традиційні пристрої на основі кремнію, зменшуючи розмір і вагу силових електронних систем, одночасно підвищуючи їх загальну ефективність. Це призводить до економії коштів і меншого впливу на навколишнє середовище в таких сферах застосування, як відновлювана енергетика та електромобілі.
Масштабованість: Діаметр 3 дюйми та точні виробничі допуски пластини HPSI SiC забезпечують її масштабованість для масового виробництва, що відповідає як дослідницьким, так і комерційним виробничим вимогам.
Висновок
Пластина HPSI SiC, діаметром 3 дюйми та товщиною 350 мкм ± 25 мкм, є оптимальним матеріалом для наступного покоління високопродуктивних силових електронних пристроїв. Її унікальне поєднання теплопровідності, високої пробивної напруги, низьких втрат енергії та надійності в екстремальних умовах робить її важливим компонентом для різних застосувань у перетворенні енергії, відновлюваній енергетиці, електромобілях, промислових системах та телекомунікаціях.
Ця пластина SiC особливо підходить для галузей промисловості, які прагнуть досягти вищої ефективності, більшої економії енергії та підвищеної надійності системи. Оскільки технології силової електроніки продовжують розвиватися, пластина HPSI SiC забезпечує основу для розробки енергоефективних рішень наступного покоління, сприяючи переходу до більш сталого майбутнього з низьким рівнем викидів вуглецю.
Детальна діаграма
