3-дюймова напівізоляційна （HPSI）SiC пластина 350 мкм Фіктивний клас Перший клас

Короткий опис:

Пластина HPSI (карбід кремнію високої чистоти) SiC діаметром 3 дюйми та товщиною 350 мкм ± 25 мкм розроблена для застосування в передовій силовій електроніці. Пластини SiC відомі своїми винятковими властивостями матеріалу, такими як висока теплопровідність, опір високій напрузі та мінімальні втрати енергії, що робить їх кращим вибором для силових напівпровідникових пристроїв. Ці пластини розроблені для роботи в екстремальних умовах, пропонуючи покращену продуктивність у середовищах високої частоти, високої напруги та високої температури, забезпечуючи при цьому більшу енергоефективність і довговічність.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

застосування

Пластини HPSI SiC відіграють ключову роль у створенні силових пристроїв нового покоління, які використовуються в різноманітних високопродуктивних додатках:
Системи перетворення електроенергії: пластини SiC служать основним матеріалом для силових пристроїв, таких як силові MOSFET, діоди та IGBT, які мають вирішальне значення для ефективного перетворення електроенергії в електричних колах. Ці компоненти містяться у високоефективних джерелах живлення, моторних приводах і промислових інверторах.

Електромобілі (EV):Зростаючий попит на електричні транспортні засоби вимагає використання більш ефективної силової електроніки, і пластини SiC знаходяться в авангарді цієї трансформації. У силових агрегатах EV ці пластини забезпечують високу ефективність і можливості швидкого перемикання, що сприяє швидшому часу заряджання, більшому запасу ходу та покращенню загальної продуктивності автомобіля.

Відновлювані джерела енергії:У системах відновлюваної енергії, таких як сонячна та вітрова, пластини SiC використовуються в інверторах і перетворювачах, які забезпечують більш ефективне захоплення та розподіл енергії. Висока теплопровідність і чудова напруга пробою SiC забезпечують надійну роботу цих систем навіть за екстремальних умов навколишнього середовища.

Промислова автоматизація та робототехніка:Високопродуктивна силова електроніка в системах промислової автоматизації та робототехніці потребує пристроїв, здатних швидко перемикатися, працювати з великими силовими навантаженнями та працювати під високим навантаженням. Напівпровідники на основі SiC відповідають цим вимогам, забезпечуючи вищу ефективність і міцність навіть у суворих умовах експлуатації.

Телекомунікаційні системи:У телекомунікаційній інфраструктурі, де критично важливі висока надійність і ефективне перетворення енергії, пластини SiC використовуються в джерелах живлення та перетворювачах постійного струму. Пристрої SiC допомагають зменшити споживання енергії та підвищити продуктивність системи в центрах обробки даних і комунікаційних мережах.

Забезпечуючи міцну основу для потужних додатків, пластина HPSI SiC дозволяє розробляти енергоефективні пристрої, допомагаючи промисловості переходити до екологічніших і екологічніших рішень.

Властивості

оперт	Сорт виробництва	Рівень дослідження	Підставна оцінка
Діаметр	75,0 мм ± 0,5 мм	75,0 мм ± 0,5 мм	75,0 мм ± 0,5 мм
Товщина	350 мкм ± 25 мкм	350 мкм ± 25 мкм	350 мкм ± 25 мкм
Орієнтація пластин	По осі: <0001> ± 0,5°	По осі: <0001> ± 2,0°	По осі: <0001> ± 2,0°
Щільність мікротрубок для 95% пластин (MPD)	≤ 1 см⁻²	≤ 5 см⁻²	≤ 15 см⁻²
Електричний опір	≥ 1E7 Ω·см	≥ 1E6 Ω·см	≥ 1E5 Ω·см
Допант	Недопований	Недопований	Недопований
Первинна плоска орієнтація	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Первинна плоска довжина	32,5 мм ± 3,0 мм	32,5 мм ± 3,0 мм	32,5 мм ± 3,0 мм
Вторинна плоска довжина	18,0 мм ± 2,0 мм	18,0 мм ± 2,0 мм	18,0 мм ± 2,0 мм
Вторинна плоска орієнтація	Si лицьовою стороною вгору: 90° CW від основної площини ± 5,0°	Si лицьовою стороною вгору: 90° CW від основної площини ± 5,0°	Si лицьовою стороною вгору: 90° CW від основної площини ± 5,0°
Виключення краю	3 мм	3 мм	3 мм
LTV/TTV/Лук/Деформація	3 мкм / 10 мкм / ±30 мкм / 40 мкм	3 мкм / 10 мкм / ±30 мкм / 40 мкм	5 мкм / 15 мкм / ±40 мкм / 45 мкм
Шорсткість поверхні	C-грань: полірована, Si-грань: CMP	C-грань: полірована, Si-грань: CMP	C-грань: полірована, Si-грань: CMP
Тріщини (перевірені світлом високої інтенсивності)	Жодного	Жодного	Жодного
Шестигранні пластини (перевірені світлом високої інтенсивності)	Жодного	Жодного	Сукупна площа 10%
Області політипу (перевірені світлом високої інтенсивності)	Сукупна площа 5%	Сукупна площа 5%	Сукупна площа 10%
Подряпини (перевіряються світлом високої інтенсивності)	≤ 5 подряпин, сукупна довжина ≤ 150 мм	≤ 10 подряпин, сукупна довжина ≤ 200 мм	≤ 10 подряпин, сукупна довжина ≤ 200 мм
Відколювання краю	Не допускається ширина та глибина ≥ 0,5 мм	Дозволено 2, ширина та глибина ≤ 1 мм	Дозволено 5, ширина та глибина ≤ 5 мм
Забруднення поверхні (перевіряється світлом високої інтенсивності)	Жодного	Жодного	Жодного

Ключові переваги

Висока теплопровідність: висока теплопровідність SiC забезпечує ефективне розсіювання тепла в силових пристроях, дозволяючи їм працювати на вищих рівнях потужності та частоті без перегріву. Це означає менші, ефективніші системи та довший термін служби.

Висока пробивна напруга: завдяки ширшій ширині забороненої зони порівняно з кремнієвими пластини SiC підтримують застосування високої напруги, що робить їх ідеальними для силових електронних компонентів, які повинні витримувати високі напруги пробою, наприклад, в електромобілях, системах електромережі та системах відновлюваної енергії.

Зменшена втрата потужності: низький опір увімкнення та висока швидкість перемикання пристроїв із SiC призводять до зменшення втрат енергії під час роботи. Це не тільки покращує ефективність, але й підвищує загальну економію енергії систем, у яких вони використовуються.
Підвищена надійність у суворих умовах: надійні властивості матеріалу SiC дозволяють йому працювати в екстремальних умовах, таких як високі температури (до 600°C), висока напруга та високі частоти. Це робить пластини SiC придатними для вимогливих промислових, автомобільних та енергетичних застосувань.

Енергоефективність. Пристрої на основі SiC забезпечують більш високу щільність потужності, ніж традиційні пристрої на основі кремнію, зменшуючи розмір і вагу силових електронних систем, одночасно підвищуючи їх загальну ефективність. Це призводить до економії коштів і меншого впливу на навколишнє середовище в таких сферах застосування, як відновлювані джерела енергії та електромобілі.

Масштабованість: 3-дюймовий діаметр і точні виробничі допуски пластини HPSI SiC гарантують її масштабованість для масового виробництва, відповідаючи вимогам як досліджень, так і комерційного виробництва.

Висновок

Пластина HPSI SiC діаметром 3 дюйми та товщиною 350 мкм ± 25 мкм є оптимальним матеріалом для наступного покоління високопродуктивних силових електронних пристроїв. Його унікальне поєднання теплопровідності, високої напруги пробою, низьких втрат енергії та надійності в екстремальних умовах робить його важливим компонентом для різноманітних застосувань у сфері перетворення електроенергії, відновлюваної енергетики, електромобілів, промислових систем і телекомунікацій.

Ця пластина SiC особливо підходить для промисловості, яка прагне досягти вищої ефективності, більшої економії енергії та підвищення надійності системи. Оскільки технологія силової електроніки продовжує розвиватися, пластина HPSI SiC забезпечує основу для розробки енергоефективних рішень наступного покоління, що сприяє переходу до більш стійкого, низьковуглецевого майбутнього.