2-дюймова пластина з карбіду кремнію, тип 6H-N, вищого ґатунку, дослідницький ґатунок, манекен, товщина 330 мкм, товщина 430 мкм

2-дюймова пластина з карбіду кремнію, тип 6H-N, вищого ґатунку, дослідницький ґатунок, макет, товщина 330 мкм, товщина 430 мкм, зображення на зображенні

Короткий опис:

Існує багато різних поліморфів карбіду кремнію, і карбід кремнію 6H є одним з майже 200 поліморфів. Карбід кремнію 6H є найпоширенішою модифікацією карбідів кремнію для комерційних цілей. Пластини карбіду кремнію 6H мають першорядне значення. Вони можуть використовуватися як напівпровідники. Він широко використовується в абразивних та ріжучих інструментах, таких як ріжучі диски, завдяки своїй довговічності та низькій вартості матеріалу. Він використовується в сучасних композитних бронежилетах та бронежилетах. Він також використовується в автомобільній промисловості, де його використовують для виготовлення гальмівних дисків. У великих ливарних виробництвах його використовують для утримання розплавлених металів у тиглях. Його використання в електричних та електронних пристроях настільки добре відоме, що не потребує жодних обговорень. Крім того, він використовується в силових електронних пристроях, світлодіодах, астрономії, пірометрії тонких ниток, ювелірних виробах, виробництві графену та сталі, а також як каталізатор. Ми пропонуємо пластини карбіду кремнію 6H з відмінною якістю та вражаючими 99,99%.

Надіслати нам електронного листа

Деталі продукту

Теги продукту

Нижче наведено характеристики пластини з карбіду кремнію:

1. Пластина карбіду кремнію (SiC) має чудові електричні та відмінні теплові властивості. Пластина карбіду кремнію (SiC) має низьке теплове розширення.

2. Пластина з карбіду кремнію (SiC) має чудові властивості твердості. Пластина з карбіду кремнію (SiC) добре працює за високих температур.

3. Пластина з карбіду кремнію (SiC) має високу стійкість до корозії, ерозії та окислення. Крім того, пластина з карбіду кремнію (SiC) також блискучіша, ніж алмази чи кубічний цирконій.

4. Краща радіаційна стійкість: пластини SIC мають сильнішу радіаційну стійкість, що робить їх придатними для використання в радіаційному середовищі. Прикладами є космічні кораблі та ядерні установки.
5. Вища твердість: пластини SIC твердіші за кремнієві, що підвищує їхню довговічність під час обробки.

6. Нижча діелектрична проникність: Діелектрична проникність пластин SIC нижча, ніж у кремнію, що допомагає зменшити паразитну ємність у пристрої та покращити високочастотні характеристики.

Пластина карбіду кремнію має кілька застосувань

Карбід кремнію (SiC) використовується для виготовлення дуже високовольтних та потужних пристроїв, таких як діоди, силові транзистори та потужні мікрохвильові пристрої. Порівняно зі звичайними кремнієвими пристроями, силові пристрої на основі SiC мають швидшу швидкість перемикання, вищі напруги, нижчі паразитні опори, менші розміри та потребують менше охолодження завдяки здатності працювати при високих температурах.
Хоча пластина з карбіду кремнію (SiC-6H)-6H має чудові електронні властивості, пластина з карбіду кремнію (SiC-6H)-6H найлегше готується та найкраще вивчається.
1. Силова електроніка: Пластини з карбіду кремнію використовуються у виробництві силової електроніки, яка застосовується в широкому спектрі застосувань, включаючи електромобілі, системи відновлюваної енергії та промислове обладнання. Висока теплопровідність і низькі втрати потужності карбіду кремнію роблять його ідеальним матеріалом для цих застосувань.
2. Світлодіодне освітлення: У виробництві світлодіодного освітлення використовуються пластини з карбіду кремнію. Висока міцність карбіду кремнію дозволяє виробляти світлодіоди, які є більш довговічними та довговічними, ніж традиційні джерела освітлення.
3. Напівпровідникові прилади: Пластини з карбіду кремнію використовуються у виробництві напівпровідникових приладів, які застосовуються в широкому спектрі застосувань, включаючи телекомунікації, обчислювальну техніку та побутову електроніку. Висока теплопровідність і низькі втрати потужності карбіду кремнію роблять його ідеальним матеріалом для цих застосувань.
4. Сонячні елементи: У виробництві сонячних елементів використовуються пластини з карбіду кремнію. Висока міцність карбіду кремнію дозволяє виробляти сонячні елементи, які є більш міцними та довговічними, ніж традиційні сонячні елементи.
Загалом, карбід-кремнієва пластина ZMSH – це універсальний та високоякісний продукт, який можна використовувати в широкому спектрі застосувань. Його висока теплопровідність, низькі втрати потужності та висока міцність роблять його ідеальним матеріалом для високотемпературних та потужних електронних пристроїв. Завдяки коефіцієнту вигину/деформації ≤50 мкм, шорсткості поверхні ≤1,2 нм та питомому опору високого/низького питомого опору, карбід-кремнієва пластина є надійним та ефективним вибором для будь-якого застосування, яке вимагає рівної та гладкої поверхні.
Наш продукт SiC Substrate постачається з комплексною технічною підтримкою та послугами для забезпечення оптимальної продуктивності та задоволення клієнтів.
Наша команда експертів готова допомогти з вибором продукції, її встановленням та усуненням несправностей.
Ми пропонуємо навчання та освіту з використання та обслуговування нашої продукції, щоб допомогти нашим клієнтам максимізувати свої інвестиції.
Крім того, ми постійно оновлюємо та вдосконалюємо продукти, щоб забезпечити нашим клієнтам постійний доступ до найновіших технологій.