2-дюймові 50,8-міліметрові пластини з карбіду кремнію SiC, леговані кремнієм N-типу, для дослідження виробництва та манекена

Матеріал підкладки: карбід кремнію 4H (4H-SiC)

Кристалічна структура: тетрагексаедрична (4H)

Допінг: Без допінгу (4H-N)

Розмір: 2 дюйми

Тип провідності: N-тип (легований n-колонкою)

Провідність: Напівпровідник

Перспективи ринку: Нелеговані пластини SiC 4H-N мають багато переваг, таких як висока теплопровідність, низькі втрати провідності, чудова стійкість до високих температур та висока механічна стабільність, і таким чином мають широкі ринкові перспективи в силовій електроніці та радіочастотних застосуваннях. З розвитком відновлюваної енергетики, електромобілів та зв'язку зростає попит на пристрої з високою ефективністю, роботою за високих температур та високою стійкістю до потужності, що забезпечує ширші ринкові можливості для нелегованих пластин SiC 4H-N.

Використання: 2-дюймові нелеговані пластини SiC 4H-N можуть бути використані для виготовлення різноманітної силової електроніки та радіочастотних пристроїв, включаючи, але не обмежуючись:

1--4H-SiC MOSFET: польові транзистори на основі металоксиду-напівпровідника для високопотужних/високотемпературних застосувань. Ці пристрої мають низькі втрати провідності та комутації, що забезпечує вищу ефективність та надійність.

2--4H-SiC JFET: Польові транзистори з переходом для підсилювачів потужності та комутаційних застосувань ВЧ. Ці пристрої пропонують високочастотні характеристики та високу термостабільність.

3--4H-SiC діоди Шотткі: діоди для високопотужних, високотемпературних та високочастотних застосувань. Ці пристрої пропонують високу ефективність з низькими втратами провідності та комутації.

4--4H-SiC Оптоелектронні прилади: Пристрої, що використовуються в таких галузях, як потужні лазерні діоди, УФ-детектори та оптоелектронні інтегральні схеми. Ці прилади мають високі потужні та частотні характеристики.

Таким чином, 2-дюймові нелеговані SiC пластини 4H-N мають потенціал для широкого спектру застосувань, особливо в силовій електроніці та радіочастотних мережах. Їхні чудові характеристики та стабільність за високих температур роблять їх сильними претендентами на заміну традиційних кремнієвих матеріалів для високопродуктивних, високотемпературних та потужних застосувань.