2 дюйми 50,8 мм пластини карбіду кремнію SiC, леговані кремнієм N-типу Виробничий дослідницький і фіктивний клас

Пластини карбіду кремнію SiC 2 дюйма 50,8 мм, леговані кремнієм N-типу Виробництво Дослідницький і фіктивний клас Рекомендоване зображення

Короткий опис:

Shanghai Xinkehui Tech. Co., Ltd пропонує найкращий вибір і ціни на високоякісні пластини з карбіду кремнію та підкладки діаметром до шести дюймів із N- та напівізоляційними типами. Малі та великі компанії з виробництва напівпровідникових пристроїв і дослідницькі лабораторії по всьому світу використовують і покладаються на наші карбідно-силіконові пластини.

Надішліть нам електронний лист

Деталі продукту

Теги товарів

Параметричні критерії для 2-дюймових нелегованих SiC пластин 4H-N включають

Матеріал підкладки: карбід кремнію 4H (4H-SiC)

Кристалічна структура: тетрагексаедр (4H)

Допінг: нелегований (4H-N)

Розмір: 2 дюйма

Тип провідності: N-тип (n-легований)

Провідність: напівпровідник

Перспективи ринку: 4H-N нелеговані пластини SiC мають багато переваг, таких як висока теплопровідність, низькі втрати провідності, чудова стійкість до високих температур і висока механічна стабільність, і, таким чином, мають широку перспективу на ринку силової електроніки та радіочастот. З розвитком відновлюваної енергетики, електромобілів і комунікацій зростає попит на пристрої з високою ефективністю, роботою при високій температурі та високою толерантністю до потужності, що забезпечує більш широкі ринкові можливості для пластин 4H-N без добавок SiC.

Застосування: 2-дюймові пластини SiC без добавок 4H-N можна використовувати для виготовлення різноманітної силової електроніки та радіочастотних пристроїв, включаючи, але не обмежуючись:

МОП-транзистори 1--4H-SiC: металооксидні напівпровідникові польові транзистори для потужних/високих температур. Ці пристрої мають низькі втрати провідності та перемикання, що забезпечує вищу ефективність і надійність.

2--4H-SiC JFETs: з’єднувальні польові транзистори для радіочастотних підсилювачів потужності та комутаційних програм. Ці пристрої пропонують високу частотну продуктивність і високу термічну стабільність.

Діоди Шотткі 3--4H-SiC: діоди для високої потужності, високих температур і частот. Ці пристрої пропонують високу ефективність з низькою провідністю та втратами на комутацію.

Оптоелектронні пристрої 4--4H-SiC: пристрої, що використовуються в таких областях, як потужні лазерні діоди, УФ-детектори та оптоелектронні інтегральні схеми. Ці прилади мають високі потужності і частотні характеристики.

Таким чином, 2-дюймові 4H-N нелеговані SiC пластини мають потенціал для широкого спектру застосувань, особливо в силовій електроніці та радіочастотах. Їх чудова продуктивність і високотемпературна стабільність роблять їх сильним претендентом на заміну традиційних кремнієвих матеріалів для високоефективних, високотемпературних і потужних застосувань.