Зміст
1.Значний прорив у технології лазерного відриву 12-дюймових пластин з карбіду кремнію
2. Численні значення технологічного прориву для розвитку карбідної силіконової промисловості
3. Майбутні перспективи: комплексний розвиток XKH та співпраця з галуззю
Нещодавно компанія Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., провідний вітчизняний виробник напівпровідникового обладнання, здійснила значний прорив у технології обробки пластин з карбіду кремнію (SiC). Компанія успішно досягла виробництва 12-дюймових пластин з карбіду кремнію за допомогою власного незалежно розробленого лазерного обладнання для виробництва пластин. Цей прорив знаменує собою важливий крок для Китаю в галузі виробництва ключових напівпровідникових пластин третього покоління та пропонує нове рішення для зниження витрат та підвищення ефективності у світовій індустрії карбіду кремнію. Ця технологія раніше була перевірена багатьма клієнтами в галузі виробництва 6/8-дюймового карбіду кремнію, а продуктивність обладнання досягла передового міжнародного рівня.
Цей технологічний прорив має багато значень для розвитку карбідокремнієвої промисловості, зокрема:
1. Значне зниження виробничих витрат:Порівняно з основними 6-дюймовими пластинами карбіду кремнію, 12-дюймові пластини карбіду кремнію збільшують доступну площу приблизно в чотири рази, знижуючи вартість одиниці мікросхеми на 30-40%.
2. Розширення потужностей постачання в галузі:Він усуває технічні вузькі місця в обробці великогабаритних пластин карбіду кремнію, забезпечуючи підтримку обладнання для глобального розширення виробничих потужностей карбіду кремнію.
3. Прискорений процес заміщення локалізації:Це порушує технологічну монополію іноземних компаній у сфері великогабаритного обладнання для обробки карбіду кремнію, надаючи важливу підтримку автономному та контрольованому розвитку напівпровідникового обладнання Китаю.
4. Сприяння популяризації застосунків для подальшого розвитку:Зниження витрат прискорить застосування пристроїв з карбіду кремнію в ключових галузях, таких як транспортні засоби на нових джерелах енергії та відновлювана енергія.
«Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd.» – це підприємство Інституту напівпровідників Китайської академії наук, що спеціалізується на дослідженнях, розробках, виробництві та продажу спеціалізованого напівпровідникового обладнання. Використовуючи лазерні технології в якості основи, компанія розробила серію обладнання для обробки напівпровідників з незалежними правами інтелектуальної власності, обслуговуючи великих вітчизняних клієнтів-виробників напівпровідників.
Генеральний директор Jingfei Semiconductor заявив: «Ми завжди дотримуємося технологічних інновацій для стимулювання промислового прогресу. Успішний розвиток технології 12-дюймового лазерного відриву карбіду кремнію не лише відображає технічні можливості компанії, але й виграє від сильної підтримки Пекінської муніципальної комісії з питань науки і технологій, Інституту напівпровідників Китайської академії наук та ключового спеціального проекту «Революційні технологічні інновації», організованого та реалізованого Національним технологічним інноваційним центром Пекін-Тяньцзінь-Хебей. У майбутньому ми продовжуватимемо збільшувати інвестиції в дослідження та розробки, щоб надавати клієнтам більше високоякісних рішень для напівпровідникового обладнання».
Висновок
Забігаючи вперед, XKH використовуватиме свій комплексний портфель продуктів для карбід-кремнієвих підкладок (від 2 до 12 дюймів з можливостями склеювання та індивідуальної обробки) та багатоматеріальні технології (включаючи 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N тощо) для активного реагування на технологічну еволюцію та зміни на ринку в галузі SiC. Постійно підвищуючи вихід пластин, знижуючи виробничі витрати та поглиблюючи співпрацю з виробниками напівпровідникового обладнання та кінцевими споживачами, XKH прагне надавати високопродуктивні та надійні рішення для підкладок для глобальних застосувань у сфері нової енергетики, високовольтної електроніки та високотемпературних промислових застосувань. Ми прагнемо допомогти клієнтам подолати технічні бар'єри та досягти масштабованого розгортання, позиціонуючи себе як надійного партнера з основних матеріалів у ланцюжку створення вартості SiC.
Час публікації: 09 вересня 2025 р.