Епітаксіальні пластини 4H-SiC для надвисоковольтних MOSFET (100–500 мкм, 6 дюймів)

Короткий опис:

Швидке зростання електромобілів, інтелектуальних мереж, систем відновлюваної енергії та потужного промислового обладнання створило нагальну потребу в напівпровідникових пристроях, здатних працювати з вищими напругами, вищою щільністю потужності та більшою ефективністю. Серед напівпровідників із широкою забороненою зоною,карбід кремнію (SiC)вирізняється широкою забороненою зоною, високою теплопровідністю та чудовою критичною напруженістю електричного поля.

Надіслати нам електронного листа

Особливості

Детальна діаграма

Огляд продукту

НашЕпітаксіальні пластини 4H-SiCрозроблені спеціально длязастосування надвисоковольтних MOSFETЗ епітаксійними шарами розміром відвід 100 мкм до 500 мкм on 6-дюймові (150 мм) основиЦі пластини забезпечують розширені області дрейфу, необхідні для пристроїв kV-класу, зберігаючи при цьому виняткову якість кристалів та масштабованість. Стандартна товщина включає 100 мкм, 200 мкм та 300 мкм, з можливістю налаштування.

Товщина епітаксіального шару

Епітаксіальний шар відіграє вирішальну роль у визначенні характеристик MOSFET, зокрема балансу міжнапруга пробоюіопір включення.

100–200 мкмОптимізовано для MOSFET-транзисторів середньої та високої напруги, пропонуючи чудовий баланс ефективності провідності та блокувальної міцності.
200–500 мкмПідходить для пристроїв надвисокої напруги (10 кВ+), що забезпечує довгі області дрейфу для надійних характеристик пробою.

У всьому діапазоні,однорідність товщини контролюється в межах ±2%, що забезпечує узгодженість від пластини до пластини та від партії до партії. Ця гнучкість дозволяє розробникам точно налаштовувати продуктивність пристроїв для цільових класів напруги, зберігаючи при цьому відтворюваність у масовому виробництві.

Виробничий процес

Наші пластини виготовляються з використаннямнайсучасніша епітаксія методом хімічного осадження з парової фази (CVD), що дозволяє точно контролювати товщину, легування та кристалічну якість навіть для дуже товстих шарів.

Епітаксія серцево-судинних захворювань– Високочисті гази та оптимізовані умови забезпечують гладкі поверхні та низьку щільність дефектів.
Ріст товстого шару– Запатентовані рецепти процесу дозволяють досягати епітаксіальної товщини до500 мкмз чудовою однорідністю.
Допінг-контроль– Регульована концентрація між1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ см⁻³, з однорідністю кращою за ±5%.
Підготовка поверхні– Вафлі проходятьПолірування CMPта ретельну перевірку, що забезпечує сумісність із передовими процесами, такими як окислення затвора, фотолітографія та металізація.

Ключові переваги

Можливість роботи з надвисокою напругою– Товсті епітаксіальні шари (100–500 мкм) підтримують конструкції MOSFET класу kV.
Виняткова якість кристалів– Низька щільність дислокацій та дефектів базальної площини забезпечує надійність та мінімізує витік.
6-дюймові великі субстрати– Підтримка великосерійного виробництва, зниження вартості одного пристрою та сумісність з фабриками.
Чудові теплові властивості– Висока теплопровідність і широка заборонена зона забезпечують ефективну роботу за високої потужності та температури.
Налаштовувані параметри– Товщину, легування, орієнтацію та обробку поверхні можна адаптувати до конкретних вимог.

Типові характеристики

Параметр	Специфікація
Тип провідності	N-тип (легований азотом)
Питомий опір	Будь-який
Кут поза осі	4° ± 0,5° (у напрямку [11-20])
Орієнтація кристалів	(0001) Si-гра
Товщина	200–300 мкм (налаштовується 100–500 мкм)
Оздоблення поверхні	Лицьова сторона: полірована CMP (епі-готова) Задня сторона: притирана або полірована
ТТВ	≤ 10 мкм
Лук/Деформація	≤ 20 мкм

Галузі застосування

Епітаксіальні пластини 4H-SiC ідеально підходять дляМОП-транзистори в системах надвисокої напруги, включаючи:

Тягові інвертори та високовольтні зарядні модулі для електромобілів
Обладнання для передачі та розподілу в інтелектуальній мережі
Інвертори відновлюваної енергії (сонячні, вітрові, накопичувачі)
Високопотужні промислові джерела живлення та комутаційні системи

Найчастіші запитання

Q1: Який тип провідності?
A1: N-тип, легований азотом — галузевий стандарт для MOSFET та інших силових пристроїв.

Q2: Які епітаксіальні товщини доступні?
A2: 100–500 мкм, зі стандартними опціями 100 мкм, 200 мкм та 300 мкм. Індивідуальна товщина доступна на запит.

Q3: Яка орієнтація пластини та кут відхилення від осі?
A3: (0001) Si-грань, з відхиленням від осі 4° ± 0,5° у напрямку [11-20].

Про нас

Компанія XKH спеціалізується на високотехнологічній розробці, виробництві та продажу спеціального оптичного скла та нових кристалічних матеріалів. Наша продукція обслуговує оптичну електроніку, побутову електроніку та військове обладнання. Ми пропонуємо сапфірові оптичні компоненти, кришки для об'єктивів мобільних телефонів, кераміку, LT, карбід кремнію SIC, кварц та напівпровідникові кристалічні пластини. Завдяки кваліфікованому досвіду та передовому обладнанню ми досягаємо успіху в обробці нестандартної продукції, прагнучи стати провідним високотехнологічним підприємством у сфері оптоелектронних матеріалів.