На даний момент наша компанія може продовжувати постачати невелику партію пластин SiC типу 8 дюймів, якщо у вас є потреба в зразках, будь ласка, зв’яжіться зі мною.У нас є кілька зразків вафель, готових до відправлення.
![Повідомлення про довгострокову стабільну поставку 8-дюймового SiC](http://www.xkh-semitech.com/uploads/Long-term-steady-supply-of-8inch-SiC-notice.jpg)
![Повідомлення про довгострокову стабільну поставку 8-дюймового SiC1](http://www.xkh-semitech.com/uploads/Long-term-steady-supply-of-8inch-SiC-notice1.jpg)
У галузі напівпровідникових матеріалів компанія зробила великий прорив у дослідженні та розробці кристалів SiC великих розмірів.Використовуючи власні затравкові кристали після кількох раундів збільшення діаметра, компанія успішно виростила 8-дюймові кристали SiC N-типу, що вирішує складні проблеми, такі як нерівномірне температурне поле, розтріскування кристалів і газофазний розподіл сировини в процесі росту 8-дюймові кристали SIC і прискорює зростання кристалів SIC великого розміру та автономну та керовану технологію обробки.Значно підвищити основну конкурентоспроможність компанії в галузі монокристалічних підкладок SiC.У той же час компанія активно сприяє накопиченню технології та процесу експериментальної лінії підготовки підкладки з карбіду кремнію великого розміру, зміцнює технічний обмін і промислову співпрацю в галузях розвідки та переробки, а також співпрацює з клієнтами для постійного повторення продуктивності продукту та спільно сприяє прискоренню промислового застосування карбідокремнієвих матеріалів.
Специфікації 8-дюймового SiC DSP N-типу | |||||
Номер | Пункт | одиниця | виробництво | дослідження | манекен |
1. Параметри | |||||
1.1 | політип | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | орієнтація поверхні | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2. Електричний параметр | |||||
2.1 | допант | -- | Азот n-типу | Азот n-типу | Азот n-типу |
2.2 | питомий опір | Ом · см | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3. Механічний параметр | |||||
3.1 | діаметр | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
3.2 | товщина | мкм | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | Орієнтація виїмки | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
3.4 | Глибина надрізу | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
3.5 | LTV | мкм | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤10 (10 мм * 10 мм) |
3.6 | TTV | мкм | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Лук | мкм | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Деформація | мкм | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | АСМ | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
4. Структура | |||||
4.1 | щільність мікротрубок | еа/см2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | вміст металу | атомів/см2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | ТСД | еа/см2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | BPD | еа/см2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | еа/см2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Позитивна якість | |||||
5.1 | спереду | -- | Si | Si | Si |
5.2 | обробка поверхні | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
5.3 | частинка | шт./вафля | ≤100 (розмір ≥0,3 мкм) | NA | NA |
5.4 | подряпина | шт./вафля | ≤5, загальна довжина≤200 мм | NA | NA |
5.5 | Край відколи/вм’ятини/тріщини/плями/забруднення | -- | жодного | жодного | NA |
5.6 | Політипні області | -- | жодного | Площа ≤10% | Площа ≤30% |
5.7 | передня розмітка | -- | жодного | жодного | жодного |
6. Якість спини | |||||
6.1 | задня обробка | -- | C-лице MP | C-лице MP | C-лице MP |
6.2 | подряпина | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Дефекти спини краю відколи/відступи | -- | жодного | жодного | NA |
6.4 | Шорсткість спини | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Розмітка спини | -- | Виїмка | Виїмка | Виїмка |
7. Край | |||||
7.1 | краю | -- | Фаска | Фаска | Фаска |
8. Пакет | |||||
8.1 | упаковка | -- | Epi-ready з вакуумом упаковка | Epi-ready з вакуумом упаковка | Epi-ready з вакуумом упаковка |
8.2 | упаковка | -- | Мультивафельний касетна упаковка | Мультивафельний касетна упаковка | Мультивафельний касетна упаковка |
Час публікації: 18 квітня 2023 р