В останні роки, з постійним проникненням таких застосувань, як нові енергетичні транспортні засоби, фотоелектрична енергія та накопичення енергії, SiC, як новий напівпровідниковий матеріал, відіграє важливу роль у цих галузях. Згідно зі звітом Yole Intelligence про ринок Power SiC, опублікованим у 2023 році, прогнозується, що до 2028 року обсяг світового ринку силових SiC-пристроїв досягне майже 9 мільярдів доларів, що становить зростання приблизно на 31% порівняно з 2022 роком. Загальний обсяг ринку напівпровідників SiC демонструє стабільну тенденцію до зростання.
Серед численних ринкових застосувань, транспортні засоби на нових джерелах енергії домінують з часткою ринку 70%. Наразі Китай став найбільшим у світі виробником, споживачем та експортером транспортних засобів на нових джерелах енергії. Згідно з «Nikkei Asian Review», у 2023 році завдяки транспортним засобам на нових джерелах енергії експорт автомобілів з Китаю вперше перевищив японський, що зробило Китай найбільшим у світі експортером автомобілів.
Зіткнувшись зі стрімким зростанням ринкового попиту, китайська промисловість SiC відкриває критично важливу можливість для розвитку.
З моменту публікації Державною радою «Тринадцятого п'ятирічного плану» національних науково-технічних інновацій у липні 2016 року, розробка напівпровідникових мікросхем третього покоління отримала значну увагу з боку уряду та отримала позитивні відгуки та широку підтримку в різних регіонах. До серпня 2021 року Міністерство промисловості та інформаційних технологій (MIIT) додатково включило напівпровідники третього покоління до «Чотирнадцятого п'ятирічного плану» розвитку промислової науки та технологічних інновацій, що надало подальшого імпульсу зростанню внутрішнього ринку SiC.
Завдяки ринковому попиту та політичним наслідкам, вітчизняні проекти в галузі SiC з'являються швидко, як гриби після дощу, демонструючи ситуацію повсюдного розвитку. Згідно з нашою неповною статистикою, наразі будівельні проекти, пов'язані з SiC, розгорнуто щонайменше у 17 містах. Серед них Цзянсу, Шанхай, Шаньдун, Чжецзян, Гуандун, Хунань, Фуцзянь та інші регіони стали важливими центрами розвитку SiC-індустрії. Зокрема, впровадження нового проекту ReTopTech ще більше зміцнить весь вітчизняний ланцюг напівпровідникової промисловості третього покоління, особливо в Гуандуні.
Наступним напрямком розвитку ReTopTech є 8-дюймова підкладка SiC. Хоча 6-дюймові підкладки SiC наразі домінують на ринку, тенденція розвитку галузі поступово зміщується в бік 8-дюймових підкладок через міркування зниження вартості. Згідно з прогнозами GTAT, очікується, що вартість 8-дюймових підкладок знизиться на 20-35% порівняно з 6-дюймовими підкладками. Наразі відомі виробники SiC, такі як Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun та Xilinx Integration, як вітчизняні, так і міжнародні, почали поступово переходити на 8-дюймові підкладки.
У цьому контексті ReTopTech планує в майбутньому створити Центр досліджень і розробок технологій вирощування кристалів великого розміру та епітаксії. Компанія співпрацюватиме з ключовими місцевими лабораторіями для співпраці в обміні інструментами та обладнанням, а також дослідженнях матеріалів. Крім того, ReTopTech планує зміцнити інноваційну співпрацю в технології обробки кристалів з великими виробниками обладнання та брати участь у спільних інноваціях з провідними підприємствами переробної промисловості в галузі досліджень і розробок автомобільних пристроїв та модулів. Ці заходи спрямовані на підвищення рівня досліджень, розробок та технологій індустріалізації виробництва в Китаї в галузі 8-дюймових платформ підкладок.
Напівпровідники третього покоління, основним представником яких є карбід кремнію (SiC), загальновизнано вважаються однією з найперспективніших галузей у всій напівпровідниковій промисловості. Китай має повну перевагу в промисловому ланцюжку напівпровідників третього покоління, що охоплює обладнання, матеріали, виробництво та застосування, з потенціалом для встановлення глобальної конкурентоспроможності.
Час публікації: 08 квітня 2024 р.