Новини

  • Зв'язок між кристалічними площинами та орієнтацією кристалів.

    Зв'язок між кристалічними площинами та орієнтацією кристалів.

    Кристалічні площини та орієнтація кристалів – це два основні поняття в кристалографії, тісно пов'язані з кристалічною структурою в технології інтегральних схем на основі кремнію. 1. Визначення та властивості орієнтації кристалів. Орієнтація кристалів являє собою певний напрямок...
    Читати далі
  • Які переваги процесів через скляний прохід (TGV) та через кремнієвий прохід, TSV (TSV) порівняно з TGV?

    Які переваги процесів через скляний прохід (TGV) та через кремнієвий прохід, TSV (TSV) порівняно з TGV?

    Переваги процесів наскрізного скляного отвору (TGV) та наскрізного кремнієвого отвору (TSV) над TGV полягають головним чином у наступному: (1) відмінні високочастотні електричні характеристики. Скляний матеріал є ізолятором, діелектрична проникність якого становить лише близько 1/3 від діелектричної проникності кремнію, а коефіцієнт втрат становить 2...
    Читати далі
  • Застосування провідних та напівізольованих підкладок з карбіду кремнію

    Застосування провідних та напівізольованих підкладок з карбіду кремнію

    Підкладки з карбіду кремнію поділяються на напівізолюючі та провідні. Наразі основна специфікація напівізольованих підкладок з карбіду кремнію становить 4 дюйми. У провідних карбідних підкладках кремнію...
    Читати далі
  • Чи є також відмінності у застосуванні сапфірових пластин з різною орієнтацією кристалів?

    Чи є також відмінності у застосуванні сапфірових пластин з різною орієнтацією кристалів?

    Сапфір - це монокристал оксиду алюмінію, що належить до тричастинкової кристалічної системи, гексагональної структури, його кристалічна структура складається з трьох атомів кисню та двох атомів алюмінію у ковалентному зв'язку, розташованих дуже щільно, з міцним ланцюгом зв'язку та енергією решітки, тоді як його кристалічна структура...
    Читати далі
  • Яка різниця між провідною підкладкою SiC та напівізольованою підкладкою?

    Яка різниця між провідною підкладкою SiC та напівізольованою підкладкою?

    Пристрій з карбіду кремнію SiC відноситься до пристрою, виготовленого з карбіду кремнію як сировини. Залежно від різних властивостей опору, його поділяють на струмопровідні силові пристрої з карбіду кремнію та напівізольовані радіочастотні пристрої з карбіду кремнію. Основні форми пристроїв та...
    Читати далі
  • Стаття знайомить вас з майстерністю TGV

    Стаття знайомить вас з майстерністю TGV

    Що таке TGV? TGV (Through-Glass via) – технологія створення наскрізних отворів на скляній підкладці. Простими словами, TGV – це висотна будівля, яка пробиває, заповнює та з'єднує вгору та вниз по склі для створення інтегральних схем на скляній підлозі...
    Читати далі
  • Які показники оцінки якості поверхні пластини?

    Які показники оцінки якості поверхні пластини?

    З безперервним розвитком напівпровідникових технологій, у напівпровідниковій промисловості та навіть у фотоелектричній промисловості, вимоги до якості поверхні пластинчастої підкладки або епітаксіального листа також дуже суворі. Отже, які вимоги до якості...
    Читати далі
  • Скільки ви знаєте про процес вирощування монокристалів SiC?

    Скільки ви знаєте про процес вирощування монокристалів SiC?

    Карбід кремнію (SiC), як різновид напівпровідникового матеріалу з широкою забороненою зоною, відіграє дедалі важливішу роль у застосуванні сучасної науки і техніки. Карбід кремнію має чудову термостабільність, високу стійкість до електричного поля, навмисну ​​провідність та...
    Читати далі
  • Проривна битва вітчизняних SiC-підкладок

    Проривна битва вітчизняних SiC-підкладок

    В останні роки, з постійним проникненням таких застосувань, як нові енергетичні транспортні засоби, фотоелектрична енергія та накопичення енергії, SiC, як новий напівпровідниковий матеріал, відіграє важливу роль у цих галузях. Згідно...
    Читати далі
  • SiC MOSFET, 2300 вольт.

    SiC MOSFET, 2300 вольт.

    26-го числа компанія Power Cube Semi оголосила про успішну розробку першого в Південній Кореї напівпровідникового MOSFET-транзистора на основі карбіду кремнію (SiC) на 2300 В. Порівняно з існуючими напівпровідниками на основі кремнію (SiC), карбід кремнію може витримувати вищі напруги, тому його називають...
    Читати далі
  • Чи відновлення напівпровідників — це лише ілюзія?

    Чи відновлення напівпровідників — це лише ілюзія?

    З 2021 по 2022 рік спостерігалося швидке зростання світового ринку напівпровідників через появу особливого попиту, спричиненого спалахом COVID-19. Однак, оскільки особливий попит, спричинений пандемією COVID-19, закінчився у другій половині 2022 року та різко впав...
    Читати далі
  • У 2024 році капітальні витрати на напівпровідники знизилися

    У 2024 році капітальні витрати на напівпровідники знизилися

    У середу президент Байден оголосив про угоду про надання Intel прямого фінансування у розмірі 8,5 мільярда доларів та позик у розмірі 11 мільярдів доларів відповідно до Закону про CHIPS та науку. Intel використає це фінансування для своїх заводів з виробництва пластин в Аризоні, Огайо, Нью-Мексико та Орегоні. Як повідомлялося в нашому...
    Читати далі