Новини
-
Тонкоплівковий танталат літію (LTOI): наступний зірковий матеріал для високошвидкісних модуляторів?
Тонкоплівковий матеріал на основі танталату літію (LTOI) стає новою значною силою в галузі інтегральної оптики. Цього року було опубліковано кілька високоякісних робіт, присвячених модуляторам LTOI, з високоякісними пластинами LTOI, наданими професором Сінь Оу з Шанхайського інституту...Читати далі -
Глибоке розуміння системи SPC у виробництві пластин
SPC (Статистичний контроль процесу) є важливим інструментом у процесі виробництва пластин, який використовується для моніторингу, контролю та покращення стабільності різних етапів виробництва. 1. Огляд системи SPC SPC – це метод, який використовує ста...Читати далі -
Чому епітаксія виконується на пластинчастій підкладці?
Вирощування додаткового шару атомів кремнію на кремнієвій підкладці має кілька переваг: у кремнієвих процесах CMOS епітаксіальне зростання (EPI) на пластині-підкладці є критичним етапом процесу. 1. Покращення якості кристалів...Читати далі -
Принципи, процеси, методи та обладнання для очищення пластин
Вологе очищення (Wet Clean) є одним з найважливіших етапів у процесах виробництва напівпровідників, спрямованим на видалення різних забруднень з поверхні пластини, щоб забезпечити можливість виконання наступних етапів процесу на чистій поверхні. ...Читати далі -
Зв'язок між кристалічними площинами та орієнтацією кристалів.
Кристалічні площини та орієнтація кристалів – це два основні поняття в кристалографії, тісно пов'язані з кристалічною структурою в технології інтегральних схем на основі кремнію. 1. Визначення та властивості орієнтації кристалів. Орієнтація кристалів являє собою певний напрямок...Читати далі -
Які переваги процесів через скляний прохід (TGV) та через кремнієвий прохід, TSV (TSV) порівняно з TGV?
Переваги процесів наскрізного скляного отвору (TGV) та наскрізного кремнієвого отвору (TSV) над TGV полягають головним чином у наступному: (1) відмінні високочастотні електричні характеристики. Скляний матеріал є ізолятором, діелектрична проникність якого становить лише близько 1/3 від діелектричної проникності кремнію, а коефіцієнт втрат становить 2...Читати далі -
Застосування провідних та напівізольованих підкладок з карбіду кремнію
Підкладки з карбіду кремнію поділяються на напівізолюючі та провідні. Наразі основна специфікація напівізольованих підкладок з карбіду кремнію становить 4 дюйми. У провідних карбідних підкладках кремнію...Читати далі -
Чи є також відмінності у застосуванні сапфірових пластин з різною орієнтацією кристалів?
Сапфір - це монокристал оксиду алюмінію, що належить до тричастинкової кристалічної системи, гексагональної структури, його кристалічна структура складається з трьох атомів кисню та двох атомів алюмінію у ковалентному зв'язку, розташованих дуже щільно, з міцним ланцюгом зв'язку та енергією решітки, тоді як його кристалічна структура...Читати далі -
Яка різниця між провідною підкладкою SiC та напівізольованою підкладкою?
Пристрій з карбіду кремнію SiC відноситься до пристрою, виготовленого з карбіду кремнію як сировини. Залежно від різних властивостей опору, його поділяють на струмопровідні силові пристрої з карбіду кремнію та напівізольовані радіочастотні пристрої з карбіду кремнію. Основні форми пристроїв та...Читати далі -
Стаття знайомить вас з майстерністю TGV
Що таке TGV? TGV (Through-Glass via) – технологія створення наскрізних отворів на скляній підкладці. Простими словами, TGV – це висотна будівля, яка пробиває, заповнює та з'єднує вгору та вниз по склі для створення інтегральних схем на скляній підлозі...Читати далі -
Які показники оцінки якості поверхні пластини?
З безперервним розвитком напівпровідникових технологій, у напівпровідниковій промисловості та навіть у фотоелектричній промисловості, вимоги до якості поверхні пластинчастої підкладки або епітаксіального листа також дуже суворі. Отже, які вимоги до якості...Читати далі -
Скільки ви знаєте про процес вирощування монокристалів SiC?
Карбід кремнію (SiC), як різновид напівпровідникового матеріалу з широкою забороненою зоною, відіграє дедалі важливішу роль у застосуванні сучасної науки і техніки. Карбід кремнію має чудову термостабільність, високу стійкість до електричного поля, навмисну провідність та...Читати далі