Новини

  • Змініть матеріали для розсіювання тепла! Попит на карбід-кремнієву підкладку стрімко зросте!

    Змініть матеріали для розсіювання тепла! Попит на карбід-кремнієву підкладку стрімко зросте!

    Зміст 1. Вузьке місце розсіювання тепла в чіпах штучного інтелекту та прорив у сфері карбідних кремнієвих матеріалів 2. Характеристики та технічні переваги карбідних кремнієвих підкладок 3. Стратегічні плани та спільна розробка NVIDIA та TSMC 4. Шлях впровадження та ключові технічні...
    Читати далі
  • Значний прорив у технології лазерного відриву 12-дюймових карбід-кремнієвих пластин

    Значний прорив у технології лазерного відриву 12-дюймових карбід-кремнієвих пластин

    Зміст 1. Значний прорив у технології лазерного відриву 12-дюймових пластин з карбіду кремнію 2. Численні значення технологічного прориву для розвитку карбід-кремнієвої галузі 3. Майбутні перспективи: комплексний розвиток та співпраця з галуззю XKH Нещодавно...
    Читати далі
  • Назва: Що таке FOUP у виробництві мікросхем?

    Назва: Що таке FOUP у виробництві мікросхем?

    Зміст 1. Огляд та основні функції FOUP 2. Структурні та конструктивні особливості FOUP 3. Класифікація та принципи застосування FOUP 4. Робота та значення FOUP у виробництві напівпровідників 5. Технічні проблеми та майбутні тенденції розвитку 6. Клієнти XKH...
    Читати далі
  • Технологія очищення пластин у виробництві напівпровідників

    Технологія очищення пластин у виробництві напівпровідників

    Технологія очищення пластин у виробництві напівпровідників Очищення пластин є критичним кроком у всьому процесі виробництва напівпровідників та одним з ключових факторів, що безпосередньо впливають на продуктивність пристрою та вихід продукції. Під час виготовлення мікросхем навіть найменше забруднення ...
    Читати далі
  • Технології очищення пластин та технічна документація

    Технології очищення пластин та технічна документація

    Зміст 1. Основні цілі та важливість очищення пластин 2. Оцінка забруднення та передові аналітичні методи 3. Передові методи очищення та технічні принципи 4. Основи технічної реалізації та контролю процесів 5. Майбутні тенденції та інноваційні напрямки 6. X...
    Читати далі
  • Свіжовирощені монокристали

    Свіжовирощені монокристали

    Монокристали рідко зустрічаються в природі, і навіть коли вони трапляються, вони зазвичай дуже малі — зазвичай міліметрового (мм) масштабу — і їх важко отримати. Повідомляється, що діаманти, смарагди, агати тощо, як правило, не потрапляють в ринковий обіг, не кажучи вже про промислове застосування; більшість з них демонструються...
    Читати далі
  • Найбільший покупець високочистого глинозему: скільки ви знаєте про сапфір?

    Найбільший покупець високочистого глинозему: скільки ви знаєте про сапфір?

    Кристали сапфіру вирощуються з високочистого порошку глинозему з чистотою >99,995%, що робить їх найбільшою сферою попиту на високочистий глинозем. Вони демонструють високу міцність, високу твердість та стабільні хімічні властивості, що дозволяє їм працювати в суворих умовах, таких як висока температура...
    Читати далі
  • Що означають TTV, BOW, WARP та TIR у пластинах?

    Що означають TTV, BOW, WARP та TIR у пластинах?

    Під час дослідження напівпровідникових кремнієвих пластин або підкладок, виготовлених з інших матеріалів, ми часто стикаємося з такими технічними індикаторами, як: TTV, BOW, WARP, а також, можливо, TIR, STIR, LTV, серед інших. Які параметри вони представляють? TTV — Загальна варіація товщини BOW — Вигин WARP — Деформація TIR — ...
    Читати далі
  • Ключова сировина для виробництва напівпровідників: типи пластин-підкладок

    Ключова сировина для виробництва напівпровідників: типи пластин-підкладок

    Підкладки для пластин як ключові матеріали в напівпровідникових приладах Підкладки для пластин є фізичними носіями напівпровідникових приладів, а їхні матеріальні властивості безпосередньо визначають продуктивність, вартість та сфери застосування приладу. Нижче наведено основні типи підкладок для пластин разом з їхніми перевагами...
    Читати далі
  • Високоточне лазерне обладнання для різання 8-дюймових SiC-пластин: основна технологія для майбутньої обробки SiC-пластин

    Високоточне лазерне обладнання для різання 8-дюймових SiC-пластин: основна технологія для майбутньої обробки SiC-пластин

    Карбід кремнію (SiC) – це не лише критично важлива технологія для національної оборони, але й ключовий матеріал для світової автомобільної та енергетичної промисловості. Як перший критичний крок в обробці монокристалів SiC, нарізання пластини безпосередньо визначає якість подальшого стоншування та полірування. Тр...
    Читати далі
  • Оптичні карбід-кремнієві хвилеводні AR-скла: Підготовка високочистих напівізоляційних підкладок

    Оптичні карбід-кремнієві хвилеводні AR-скла: Підготовка високочистих напівізоляційних підкладок

    На тлі революції штучного інтелекту, окуляри доповненої реальності (AR) поступово входять у суспільну свідомість. Як парадигма, що бездоганно поєднує віртуальний та реальний світи, AR-окуляри відрізняються від VR-пристроїв тим, що дозволяють користувачам сприймати як цифрові проектовані зображення, так і одночасне освітлення навколишнього середовища...
    Читати далі
  • Гетероепітаксіальне зростання 3C-SiC на кремнієвих підкладках з різною орієнтацією

    Гетероепітаксіальне зростання 3C-SiC на кремнієвих підкладках з різною орієнтацією

    1. Вступ Незважаючи на десятиліття досліджень, гетероепітаксіальний 3C-SiC, вирощений на кремнієвих підкладках, ще не досяг достатньої кристалічної якості для промислового застосування в електроніці. Вирощування зазвичай здійснюється на підкладках Si(100) або Si(111), кожна з яких має свої особливості: антифазна ...
    Читати далі